[发明专利]一种太阳能电池的背面结构和含该背面结构的太阳能电池有效
| 申请号： | 202011594855.3 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112736145B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李红博;何胜;单伟;徐伟智;曾鑫林;赵迎财 | 申请（专利权）人： | 正泰新能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 314400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 背面 结构 | ||
1.一种太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述背面结构包括设置在太阳能电池的硅片基底上的氧化铝膜层、氧化铝膜层上由内向外依次设置的第一氮化硅膜层、第一氮氧化硅膜层；所述第一氮化硅膜层的折射率大于第一氮氧化硅膜层；
所述背面结构还包括设置在第一氮氧化硅膜层上的第二氮化硅膜层；
所述第一氮化硅膜层的折射率大于第二氮化硅膜层，所述第二氮化硅膜层的折射率大于第一氮氧化硅膜层；
所述背面结构还包括设于第二氮化硅膜层上的第二氮氧化硅膜层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，第一氮化硅膜层的折射率为2.4~2.3，膜厚为10~25nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，第二氮化硅膜层的折射率为2.2~1.9，膜厚为30~60nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，第一氮氧化硅膜层的折射率为1.7~1.9，膜厚为10~20nm。
5.根据权利要求2至4任一所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第二氮化硅膜层包括至少一层子氮化硅膜层；所述子氮化硅膜层的折射率由内向外依次减小。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，第二氮化硅膜层包括三层子氮化硅膜层，子氮化硅膜层的折射率/厚度由内向外依次为：2.2~2.1/15~25nm、2.1~2.0/8~15nm和2.0~1.9/8~15nm。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第二氮氧化硅膜层的折射率为1.7～2.0，膜厚8～15nm。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述背面结构还包括设于第二氮氧化硅膜层上的氧化硅膜层。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述氧化硅膜层的折射率为1.5～1.6，膜厚8～15nm。
10.一种包括如权利要求1至9任一所述的太阳能电池的背面结构的PERC太阳能电池。
11.一种包括如权利要求1至9任一所述的太阳能电池的背面结构的TopCon太阳能电池。
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