[发明专利]InAs/GaSb缓冲层、硅基锑化物半导体材料及其制备方法和元器件

权利要求书

1.一种InAs/GaSb缓冲层，其特征在于，包括一个或多个层叠设置的基本缓冲单元，每个所述基本缓冲单元包括一个或多个层叠设置的基本单元层，每个所述基本单元层包括一组或多组交替设置的GaSb部分和InAs部分；

在至少一个所述基本缓冲单元内或者多个所述基本缓冲单元之间，所述GaSb部分在多个所述基本单元层的覆盖率逐渐升高或逐渐降低；相邻两个所述基本单元层内，所述GaSb部分和所述InAs部分的排列顺序相同或不同。

2.根据权利要求1所述的InAs/GaSb缓冲层，其特征在于，每个所述基本缓冲单元内，所述GaSb部分在其相应的所述基本单元层的覆盖率的变化趋势相同或不同。

3.一种硅基锑化物半导体材料，其特征在于，包括硅衬底和纯镓锑层，所述硅衬底和所述纯镓锑层之间设置有权利要求1或2所述的InAs/GaSb缓冲层；

与所述纯镓锑层邻接的所述基本缓冲单元内，所述GaSb部分在多个所述基本单元层的覆盖率沿着逐渐远离所述硅衬底的方向逐渐升高。

4.根据权利要求3所述的硅基锑化物半导体材料，其特征在于，所述InAs/GaSb缓冲层远离所述硅衬底的表面设置有纯镓锑层，所述InAs/GaSb缓冲层内沿着所述硅衬底至所述纯镓锑层的方向，所述GaSb部分在多个所述基本单元层的覆盖率逐渐升高。

5.根据权利要求4所述的硅基锑化物半导体材料，其特征在于，与所述硅衬底邻接的基本单元层中，GaSb部分的覆盖率趋于0；与所述纯镓锑层邻接的基本单元层中，GaSb部分的覆盖率趋于100%。

6.根据权利要求3所述的硅基锑化物半导体材料，其特征在于，一个或多个所述基本缓冲单元中设置有缓冲纯镓锑层。

7.根据权利要求3-6任一项所述的硅基锑化物半导体材料，其特征在于，所述InAs/GaSb缓冲层的厚度为500-1000nm。

8.根据权利要求7所述的硅基锑化物半导体材料，其特征在于，所述纯镓锑层的厚度为200-500nm。

9.一种权利要求4-8任一项所述的硅基锑化物半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：

按照相应的覆盖率在所述硅衬底上生长所述GaSb部分和所述InAs部分，得到多个所述基本单元层；

然后生长纯镓锑层，得到所述硅基锑化物半导体材料。

10.一种元器件，其特征在于，其原料包括权利要求1或2所述的InAs/GaSb缓冲层或4-8任一项所述的硅基锑化物半导体材料。