[发明专利]高利用率的带隙基准电路

权利要求书

1.一种高利用率的带隙基准电路系统，其特征在于，包括：

PTAT电流产生电路(10)，用以产生带有温度系数的电流，

基准电压输出电路(20)，用以输出恒定的基准电压，

温度系数电流输出电路(30)，用以输出带有温度系数的电流来补偿其他具有相反温度系数的电路，

所述基准电压输出电路(20)中与电压输出端连接的通路至少有一个，所述通路中包括电阻阵列单元，所述电阻阵列单元用于消除输出的电压的温度变化。

2.根据权利要求1所述的高利用率的带隙基准电路系统，其特征在于，所述电阻阵列单元为至少两个具有不同温度系数的电阻，所述电阻间串联连接。

3.根据权利要求1所述的高利用率的带隙基准电路系统，其特征在于，所述电阻阵列单元包括：

N个并联的通路，N大于等于2，每个通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻和一个开关元件，所述电阻和开关元件间串联连接；所述开关元件与外部控制电路连接，所述外部控制电路控制该通路的接通或断开。`

4.根据权利要求1所述的高利用率的带隙基准电路系统，其特征在于，所述通路中包括至少M对具有不同温度系数的电阻，M大于等于2，还包括M个开关元件；

所述通路中最中间的一对电阻间串联连接有一个开关元件，其他对电阻依次两两向通路两端隔开串联连接，连接的节点间通过一个开关元件形成旁路；所述开关元件与外部控制电路连接，所述外部控制电路控制该旁路接通或断开。

5.根据权利要求3或4所述的高利用率的带隙基准电路系统，其特征在于，每个通路中的电阻为第一电阻和第二电阻，每个通路中的开关元件的栅极与控制信号相连接，开关元件的源极连接该通路中的第一电阻的第二端，开关元件的漏极连接该通路中的第二电阻的第一端；所有通路的第一电阻的第一端连接在一起组成电阻阵列单元的正端，所有通路的第二电阻的第二端连接在一起组成电阻阵列单元的负端。

6.根据权利要求2所述的高利用率的带隙基准电路系统，其特征在于，所述每个通路中包含的所述电阻为两个，并且所述每个通路中这两个所述电阻的阻值比各不相同。

7.根据权利要求2或3所述的高利用率的带隙基准电路系统，其特征在于，所述开关元件为PMOS管或NMOS管。

8.根据权利要求3所述的高利用率的带隙基准电路系统，其特征在于，所述每对电阻中的两个电阻的阻值不同，且至少有一对电阻中的两个电阻与其他对电阻中的电阻阻值不同。

9.根据权利要求1-8中之一所述的高利用率的带隙基准电路系统，其特征在于，所述电阻由多条电阻组合而成。