[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)对硅层衬底进行制绒清洗，形成双面绒面结构；

(2)在所述硅层衬底的正面依次沉积第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层和第一导电膜层，在所述硅层衬底的背面依次沉积第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层和第二导电膜层；其中，所述第一导电膜层的沉积采用氧氩比为14％的工艺气体，所述第二导电膜层的沉积采用氧氩比为12％的工艺气体；

(3)在所述第一导电膜层的正面和所述第二导电膜层的背面分别印刷第一金属电极和第二金属电极，固化后，即得一种异质结太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硅层衬底为N型单晶硅片，电阻率为1.0-7.0Ω·cm，厚度为50-200um。

3.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述制绒采用碱溶液，所述碱溶液为浓度为49％的KOH或NaOH溶液；所述清洗采用质量配比为1:1的30％氨水双氧水溶液。

4.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述第一本征非晶硅层、所述第一非晶硅膜层、所述第二本征非晶硅层和所述第二非晶硅膜层的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积法或催化化学气相沉积法，所述第一导电膜层和所述第二导电膜层的沉积方法为快速等离子沉积法。

5.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述第一本征非晶硅层和所述第二本征非晶硅层的厚度均为5-20nm。

6.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述第一非晶硅膜层为P型非晶硅膜层，所述第二非晶硅膜层为N型非晶硅膜层；或者第一非晶硅膜层为N型非晶硅膜层，所述第二非晶硅膜层为P型非晶硅膜层；

其中，所述P型非晶硅膜层的厚度为5-20nm，N型非晶硅膜层的厚度为5-30nm。

7.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述第一导电膜层和所述第二导电膜层均为透明导电膜层，所述透明导电膜层的材料为ITO、IWO或AZO中的任意一种，厚度均为60-120nm。

8.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述第一金属电极和所述第二金属电极均为银电极，所述银电极正面和背面均包含主栅和细栅线；

其中，主栅线数为1-20，栅线宽度为0.8-1.2mm，副栅线数为80-200，栅线宽度为20-60μm。

9.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述印刷的方式为丝网印刷；所述固化的温度为180-220℃，固化时间为10-30min。