[发明专利]一种光电探测器及其使用方法有效
申请号: | 202011595658.3 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112531066B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 陈代高;肖希;王磊;胡晓;张宇光;余少华 | 申请(专利权)人: | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0232 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 李斯 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 及其 使用方法 | ||
1.一种光电探测器,其特征在于,其包括:
入射波导(1),其用于传播信号光;
硅层(3),其上设有锗吸收区(4),所述锗吸收区(4)用于探测信号光,并将所述信号光转换为电信号;
聚焦型器件(2),其用于将所述入射波导(1)的信号光聚焦至所述锗吸收区(4)正下方的硅层(3),所述信号光经过聚焦型器件(2)到达所述锗吸收区(4)入射端时汇聚的光束的宽度大于所述锗吸收区(4)的宽度;
当所述聚焦型器件(2)为非均匀光栅(22)时,所述非均匀光栅(22)上设有多个刻蚀槽,以位于所述非均匀光栅中间的刻蚀槽为中心,多个刻蚀槽由中心向两侧对称分布;所述刻蚀槽在垂直于信号光入射方向上的宽度由中心向两侧逐渐增加;
当所述聚焦型器件(2)为第一透镜结构(23),所述第一透镜结构(23)通过刻蚀形成有环形刻蚀槽。
2.一种基于权利要求1所述的光电探测器的使用方法,其特征在于,其包括步骤:
信号光由入射波导(1)进入聚焦型器件(2);
所述聚焦型器件(2)将所述信号光聚焦至锗吸收区(4)正下方的硅层(3),并使信号光到达所述锗吸收区(4)入射端时汇聚的光束的宽度大于所述锗吸收区(4)的宽度;
所述锗吸收区(4)将所述信号光转换为电信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的