[发明专利]一种FinFET基础结构及其制造方法

说明书

本发明提出了一种FinFET基础结构及其制造方法；FinFET基础结构包括基体；还包括插设在基体上的填充件(520)；填充件(520)底部的侧壁上凸出形成有凸起部(521)；该凸起部(521)突出于基体顶面上；FinFET基础结构还包括覆盖在基体以及填充件(520)侧壁的位于基体上方的部分上的金属栅极。本发明的FinFET基础结构及其制造方法设计新颖，实用性强。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种FinFET基础结构及其制造方法。

背景技术

如图1-图20所示，图1示出了一种现有FinFET基础结构的制造方法的层间介质平坦化步骤的流程状态示意图；图2示出了图1所示的层间介质平坦化步骤的状态的A-A向的剖面示意图；图3示出了图1所示的现有FinFET基础结构的制造方法的开槽步骤的流程状态示意图；图4示出了图3所示的开槽步骤的状态的B-B向的剖面示意图；图5示出了图1所示的现有FinFET基础结构的制造方法的通过ALD技术填充SiN步骤的流程状态示意图；图6示出了图5所示的通过ALD技术填充SiN步骤的状态的C-C向的剖面示意图；图7示出了图1所示的现有FinFET基础结构的制造方法的移除多晶硅层步骤的流程状态示意图；图8示出了图7所示的移除多晶硅层步骤的状态的D-D向的剖面示意图；图9示出了图1所示的现有FinFET基础结构的制造方法的移除虚设层步骤的流程状态示意图；图10示出了图9所示的移除虚设层步骤的状态的E-E向的剖面示意图；图11示出了图1所示的现有FinFET基础结构的制造方法的氧化膜生长步骤的流程状态示意图；图12示出了图11所示的氧化膜生长步骤的状态的F-F向的剖面示意图；图13示出了图1所示的现有FinFET基础结构的制造方法的高介电常数材料/TiN沉积步骤的流程状态示意图；图14示出了图13所示的高介电常数材料/TiN沉积步骤的状态的G-G向的剖面示意图；图15示出了图1所示的现有FinFET基础结构的制造方法的帽层的形成步骤的流程状态示意图；图16示出了图15所示的帽层的形成步骤的状态的H-H向的剖面示意图；图17示出了图1所示的现有FinFET基础结构的制造方法的帽层的移除步骤的流程状态示意图；图18示出了图17所示的帽层的移除步骤的状态的I-I向的剖面示意图；图19示出了图1所示的现有FinFET基础结构的制造方法的金属栅极的形成步骤的流程状态示意图；图20示出了图19所示的金属栅极的形成步骤的状态的J-J向的剖面示意图；该FinFET基础结构的制造方法包括以下步骤：步骤1、准备衬底，该衬底包括STI层1、插设在STI层1中的多个鳍片2、附着在鳍片2上的虚设层3以及覆盖在STI层1和虚设层3上的多晶硅层4；然后，对多晶硅层4进行平坦化；步骤2、在衬底上开设有凹槽5，该凹槽5贯穿多晶硅层4并止于STI层1内部；步骤3、通过ALD技术在凹槽5中填充SiN，从而形成填充件6；步骤4、移除多晶硅层4；步骤5、移除虚设(Dummy)层3；步骤6、在鳍片2外壁形成氧化膜7；步骤7、先后通过沉积技术形成高介电常数材料层8和第一TiN层9；步骤8、在第一TiN层9上形成帽层10，封帽退火(Post capping anneal，PCA)；步骤9、移除帽层10；步骤10、先后通过沉积方法形成TaN层12、第二TiN层13，然后再在第二TiN层13上布置金属层14以形成金属栅极。在这种FinFET基础结构的制造方法中，帽层的移除时，由于鳍片2与填充件6之间高深宽比的沟槽，会有Si残余11，这会导致FinFET基础结构电性能不良。

发明内容

本发明的目的是针对上述技术问题，提出一种FinFET基础结构及其制造方法。

本发明解决其技术问题的技术方案是：

本发明提出了一种FinFET基础结构的制造方法，包括以下步骤：

步骤S、提供基体，然后通过刻蚀技术在基体上开设凹槽；

步骤S、在凹槽内壁的靠近其开口的一部分氧化形成第一氧化层，使凹槽槽底凸出形成凸槽；

步骤S、在凹槽和凸槽中填充填充材料，从而形成填充件；其中，填充在凸槽内的填充材料形成填充件的凸起部；