[发明专利]一种吲哚[3,2,1-kl]吩噻嗪5,5-二氧化物衍生物及其应用和电子器件

权利要求书

1.一种吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，其由下述通式(1)表示：

其中，R₁、R₂和R₃各自独立地选自具有6至30个碳原子的芳香族烃基，或R₁、R₂和R₃各自独立地选自具有5至30个碳原子的芳香族杂环基中的一个或多个，或R₁、R₂和R₃各自独立地选自具有6至30个碳原子的芳香族烃基或具有5至30个碳原子的芳香族杂环基中的一个或多个。

2.如权利要求1所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，所述R₁、R₂和R₃中的至少一个选自氰基或卤素。

3.如权利要求1所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，所述R₁、R₂和R₃中的至少一个选自三苯基硅烷基或四苯基硅烷基。

4.如权利要求1所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，所述R₁、R₂和R₃各自独立地选自以下通式Ar-1至Ar-10中的任一种：

其中，波浪线表示与吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物母核键合的键。

5.如权利要求1至4中任一项所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，所述吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物选自以下通式1-1至1-14中的任一种：

6.权利要求1至5中任一项所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，作为热激活延迟荧光材料或在构建热激活延迟荧光材料骨架中的应用。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物在电子器件中作为发光材料、电子传输材料、电子阻挡材料、空穴注入材料或空穴阻挡材料的应用。

8.一种电子器件，其特征在于，其包括：第一电极、与所述第一电极对置而具备的第二电极、以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个有机层，所述有机层包含权利要求1～5中任一项所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物。

9.如权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件为有机电致发光器件、有机场效应晶体管、有机太阳能电池或钙钛矿太阳能电池。

10.如权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述有机层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、光活性层、空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层中的一层或多层。