[发明专利]可控硅高温保护装置及电路控制系统

权利要求书

1.一种可控硅高温保护装置，其设置在控制单元与可控硅单元之间，其特征在于，所述装置包括：

阻值可变单元，所述阻值可变单元的第一端连接至电源，所述阻值可变单元的阻值随所述可控硅单元的温度变化而变化；

三极管单元，所述三极管单元分别连接至触发电路通路、所述阻值可变单元的第二端以及地端；所述触发电路通路为所述控制单元的控制信号输出端与用于驱动所述可控硅单元的触发电路的控制信号输入端之间的连接电路通路；

当所述可控硅单元的温度高于预设的温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值变化，使得所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通；

其中，所述阻值可变单元为负温度系数的热敏电阻，和/或，所述阻值可变单元被设置为靠近所述可控硅单元，以使得所述阻值可变单元的阻值可以随所述可控硅单元的温度变化；

以及，所述可控硅单元的触发电路包括触发三极管单元，所述触发三极管单元的基极连接至所述控制单元的控制信号输出端，所述触发三极管单元的发射极接地，所述触发三极管单元的集电极连接至所述可控硅单元的触发端。

2.根据权利要求1所述的可控硅高温保护装置，其特征在于，所述阻值可变单元的阻值与所述可控硅单元的温度呈负相关关系，当所述可控硅单元的温度高于所述温度阈值时，所述阻值可变单元的阻值低于阻值阈值，当所述阻值可变单元的阻值低于所述阻值阈值时，所述三极管单元导通，以使得所述触发电路通路与所述地端导通。

3.根据权利要求2所述的可控硅高温保护装置，其特征在于，所述三极管单元为NPN型三极管，所述三极管单元的基极连接至所述阻值可变单元的第二端，所述三极管单元的发射极连接至所述地端，所述三极管单元的集电极连接至所述触发电路通路。

4.根据权利要求3所述的可控硅高温保护装置，其特征在于，所述阻值可变单元的第二端与所述三极管单元的基极之间还设置有第一限流电阻。

5.根据权利要求1所述的可控硅高温保护装置，其特征在于，所述触发三极管单元的基极与单片机的控制信号输出端之间还设置有第二限流电阻，和/或，所述触发三极管单元的集电极与所述可控硅单元的触发端之间还设置有限流电阻单元。

6.根据权利要求5所述的可控硅高温保护装置，其特征在于，所述限流电阻单元包括并联设置的第三限流电阻和第四限流电阻。

7.根据权利要求1所述的可控硅高温保护装置，其特征在于，所述触发三极管单元的基极和发射极之间还设置有钳位电阻。

8.一种可控硅电路控制系统，其特征在于，所述系统包括控制单元、可控硅单元以及如权利要求1-7任一项所述的可控硅高温保护装置。