[发明专利]碳化硅平面MOSFET器件及制备方法有效
| 申请号： | 202011596754.X | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112687746B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张金平;王鹏蛟;李小锋;刘竞秀;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 平面 mosfet 器件 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅平面MOSFET器件，其元胞结构包括：
从下至上依次层叠设置的背部漏极金属(1)、第二N型碳化硅缓冲层(21)、N型碳化硅外延层(3)，
N型碳化硅外延层(3)的上方为第一N型碳化硅缓冲层(11)，第一N型碳化硅缓冲层(11)包括中间的竖直段和两侧的水平段，第一N型碳化硅缓冲层(11)左上方为第一P型基区(4)，第一P型基区(4)内部为第一P型源区(5)和第一N型源区(7)，第一P型源区(5)和第一N型源区(7)左右相接，第一源极金属(6)分别与第一P型源区(5)和部分第一N型源区(7)上下相接；第一N型碳化硅缓冲层(11)右上方为第二P型基区(41)，第二P型基区(41)内部为第二P型源区(51)和第二N型源区(71)，第二P型源区(51)和第二N型源区(71)左右相接，第二源极金属(61)分别与第二P型源区(51)和部分第二N型源区(71)上下相接；栅极(9)和第一N型源区(7)之间、栅极(9)和第二N型源区(71)之间、栅极(9)和第一P型基区(4)之间、栅极(9)和第二P型基区(41)之间、栅极(9)和第一N型碳化硅缓冲层(11)之间都设有栅介质层(10)；
其特征在于：第二N型碳化硅缓冲层(21)中具有不相连的P型区域(12)；P型区域(12)的下方与背部漏极金属(1)之间形成欧姆接触；相邻P型区域(12)之间设置P型多晶硅区域(13)，P型多晶硅区域(13)上表面与第二N型碳化硅缓冲层(21)相接，下表面与背部漏极金属(1)相接。
2.一种碳化硅平面MOSFET器件，其元胞结构包括：
从下至上依次层叠设置的背部漏极金属(1)、第二N型碳化硅缓冲层(21)、N型碳化硅外延层(3)，
N型碳化硅外延层(3)的上方为第一N型碳化硅缓冲层(11)，第一N型碳化硅缓冲层(11)包括中间的竖直段和两侧的水平段，第一N型碳化硅缓冲层(11)左上方为第一P型基区(4)，第一P型基区(4)内部为第一P型源区(5)和第一N型源区(7)，第一P型源区(5)和第一N型源区(7)左右相接，第一源极金属(6)分别与第一P型源区(5)和部分第一N型源区(7)上下相接；第一N型碳化硅缓冲层(11)右上方为第二P型基区(41)，第二P型基区(41)内部为第二P型源区(51)和第二N型源区(71)，第二P型源区(51)和第二N型源区(71)左右相接，第二源极金属(61)分别与第二P型源区(51)和部分第二N型源区(71)上下相接；
栅极(9)和第一N型源区(7)之间、栅极(9)和第二N型源区(71)之间、栅极(9)和第一P型基区(4)之间、栅极(9)和第二P型基区(41)之间、栅极(9)和第一N型碳化硅缓冲层(11)之间都设有栅介质层(10)；
其特征在于：第二N型碳化硅缓冲层(21)中具有不相连的P型区域(12)；P型区域(12)的下方与背部漏极金属(1)之间没有形成接触，在第二N型碳化硅缓冲层(21)中完全浮空；P型多晶硅区域(13)位于P型区域(12)的下方，且宽度比P型区域(12)小。
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