[发明专利]一种基座组件以及等离子体处理设备

说明书

本发明提供了一种用于等离子体处理设备的基座组件，包括设置在基座组件中的多个声发射传感器。声发射传感器能够通过声学传播检测并定位微弧放电现象。

技术领域

本发明涉及半导体处理设备的技术领域，尤其涉及一种基座组件以及具有该基座组件的等离子体处理设备。

背景技术

对半导体基片或衬底的微加工是一种众所周知的技术，可以用来制造例如，处理器芯片、存储器芯片、微机电系统、光电器件、太阳能电池等。微加工制造的一个重要步骤为等离子体刻蚀步骤，该步骤在一反应室内部进行，工艺气体被输入至该反应室内。射频源被电感和/或电容耦合至反应室内部来激励工艺气体形成等离子体，进行反应离子刻蚀。

随着工艺中关键尺寸的不断缩小，需要更苛刻的工艺条件，例如输出更高的射频功率、更高的偏置电压等。这些条件将增加电压击穿或电弧放电的可能性，这将导致反应腔中各部件的损坏，甚至可能会发生该部件的不可逆转性故障。因此，检测和定位这种电弧事件对部件寿命的延长以及半导体处理工艺的优化和完善具有重要意义。

发明内容

本发明提供一种用于等离子体处理设备的基座组件，包括：

基座；

静电吸盘，设置在所述基座上方，用于承载待处理基片；

结合层，用于结合所述基座与所述静电吸盘；

多个声发射传感器，用于检测电弧放电以及定位所述电弧放电在所述等离子体处理设备中的位置。

可选的，所述多个声发射传感器是至少三个声发射传感器，用于定位在所述静电吸盘上的电弧放电的位置。

可选的，所述至少三个声发射传感器设置在所述静电吸盘中，靠近所述静电吸盘的下表面。

可选的，所述至少三个声发射传感器设置在所述结合层中。

可选的，所述至少三个声发射传感器设置在所述基座中，靠近所述基座的上表面。

可选的，所述声发射传感器的工作频率范围是10kHz-100kHz。

可选的，基座组件还包括射频滤波器和处理单元，所述射频滤波器与所述声发射传感器连接，所述处理单元接收并处理来自所述射频滤波器的经滤波的电信号。

可选的，基座组件还包括射频滤波器、光电转换器和处理单元，所述射频滤波器与所述声发射传感器连接；光电转换器连接所述射频滤波器与处理单元，接收来自所述射频滤波器的电信号并将其转换为光信号；所述处理单元接收并处理来自所述光电转换器的光信号。

可选的，所述光电转换器与所述处理单元通过光纤连接。

本发明还提供一种等离子体处理设备，包括：

真空反应腔；

气体供应装置，用于向所述真空反应腔内输送反应气体；

上述的基座组件，所述基座组件设置在所述真空反应腔的内部。

本发明还提供一种等离子体处理设备，包括：

真空反应腔；

气体供应装置，用于向所述真空反应腔内输送反应气体；

基座，设置在所述真空反应腔的内部且其上承载待处理基片；

多个声发射传感器，设置在所述基座中，用于检测电弧放电以及定位所述电弧放电的在所述等离子体处理设备中的位置。