[发明专利]静电吸盘、下电极组件及等离子体处理装置在审
申请号: | 202011597601.7 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN114695047A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 黄国民;郭二飞;赵函一;吴狄;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 电极 组件 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种用于等离子体处理装置的静电吸盘,所述静电吸盘包括:
多个区域,所述多个区域中的第一区域包括朝向所述静电吸盘的中心突出的突出部;
第一通气孔,所述第一通气孔设置在所述突出部中。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述静电吸盘还包括密封带,所述密封带将所述静电吸盘分成多个区域。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘,其特征在于,所述静电吸盘还包括设置在所述静电吸盘外周的外圈密封带。
4.根据权利要求2所述的静电吸盘,其特征在于,所述密封带将静电吸盘分成两个区域:外区域包括静电吸盘的外侧圆环部分以及朝向静电吸盘的中心突出的突出部,内区域是静电吸盘中除外区域之外的区域;第一通气孔设置在所述突出部中,所述静电吸盘还包括第二通气孔,所述第二通气孔设置在静电吸盘的所述内区域中。
5.根据权利要求4所述的静电吸盘,其特征在于,所述第一通气孔中的气体压强大于所述第二通气孔中的气体压强。
6.根据权利要求4所述的静电吸盘,其特征在于,所述外区域的面积小于内区域的面积。
7.根据权利要求4所述的静电吸盘,其特征在于,所述静电吸盘的上表面具有向上突出的台部,所述外区域的台部的上表面面积占整个外区域的面积的比率大于所述内区域的台部的上表面面积占整个内区域的面积的比率。
8.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征在于,所述密封带与静电吸盘的台部的上表面齐平。
9.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征在于,外区域的台部的上表面的粗糙度小于内区域的台部的上表面的粗糙度。
10.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征在于,所述台部的上表面形状是下列中的任意一种:圆形、六边形、长方形、三角形。
11.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征在于,所述外区域的台部上表面是六边形且所述内区域的台部上表面是圆形。
12.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征在于,所述外区域的台部的高度低于所述内区域的台部的高度。
13.根据权利要求2所述的静电吸盘,其特征在于,所述密封带将静电吸盘分成三个区域:外侧区域、中间区域和中心区域,其中,外侧区域包括静电吸盘的外侧圆环部分以及朝向静电吸盘的中心突出的突出部,第一通气孔设置在所述突出部中;所述静电吸盘还包括第三通气孔,所述第三通气孔设置在静电吸盘的所述中间区域中。
14.根据权利要求13所述的静电吸盘,其特征在于,所述静电吸盘的上表面具有向上突出的台部,所述外侧区域的台部的上表面面积占整个外侧区域的面积的比率大于所述中间区域的台部的上表面面积占整个中间区域的面积的比率。并且所述中心区域的台部的上表面面积占整个中心区域的面积的比率大于所述中间区域的台部的上表面面积占整个中间区域的面积的比率。
15.根据权利要求14所述的静电吸盘,其特征在于,外侧区域的台部的上表面的粗糙度小于中间区域的台部的上表面的粗糙度,并且中心区域的台部的上表面的粗糙度小于中间区域的台部的上表面的粗糙度。
16.根据权利要求14所述的静电吸盘,其特征在于,所述外侧区域的台部的高度低于所述中间区域的台部的高度,并且所述中心区域的台部的高度低于所述中间区域的台部的高度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011597601.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种编程教育机器人系统
- 下一篇:分段式激光测距方法和系统