[发明专利]一种改良相变材料的方法

权利要求书

1.一种改良相变材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)清洗衬底：准备衬底，并依次将衬底置于丙酮、乙醇以及超纯水中进行超声清洗，去除衬底上的杂质；

(2)沉积相变材料：利用化学沉积或物理气相沉积法沉积相变材料在清洗后的衬底上，沉积厚度1～5000nm；

(3)沉积介质薄膜：利用化学气相沉积或物理气相沉积法在相变材料薄膜表面沉积介质薄膜，沉积厚度1～5000nm。

2.一种改良相变材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)清洗衬底：准备衬底，并依次将衬底置于丙酮、乙醇以及超纯水中进行超声清洗，去除衬底上的杂质；

(2)制作图案：用匀胶机将光刻胶旋涂在已清洗的衬底表层，将旋涂光刻胶的衬底，通过电子束曝光或光刻的工艺流程得到具有特定结构的图案；

(3)沉积相变材料：准备相变材料，利用化学沉积或物理气相沉积法沉积相变材料在具有光刻胶图案的衬底上，沉积厚度1～5000nm；

(4)剥离：准备剥离所需的除胶剂、异丙醇和超纯水，将步骤(3)中沉积有相变材料的衬底浸泡在除胶剂中，并在超声清洗机中超声剥离掉衬底上多余的光刻胶和其他工艺残留，得到图案化形态的相变材料；再将图案化形态的相变材料依次浸泡在异丙醇溶液和超纯水中清除残余除胶剂溶液；

(5)沉积介质薄膜：利用化学气相沉积或物理气相沉积法在图形化形态的相变材料表面沉积介质薄膜，沉积厚度1～5000nm。

3.一种改良相变材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)清洗衬底：准备衬底，依次衬底置于装有丙酮、乙醇、超纯水的容器中进行超声清洗，去除衬底上的杂质；

(2)沉积相变材料：准备相变材料，利用化学沉积或物理气相沉积法沉积相变材料在清洗后的衬底上，沉积厚度1～5000nm；

(3)制作图案：用匀胶机将光刻胶旋涂在沉积了相变材料衬底上，通过电子束曝光或光刻的工艺流程得到具有特定结构的光刻胶图案；

(4)刻蚀：以步骤(3)中制作的光刻胶图案为掩模版，经过刻蚀的工艺流程，得到图案化形态的相变材料；

(5)剥离：准备除胶剂、异丙醇和超纯水，将步骤(4)中具有图案化形态的相变材料浸泡在除胶剂中，剥离掉衬底上多余的光刻胶和其他工艺残留，得到图案化形态的相变材料；再将图案化形态的相变材料依次浸泡在异丙醇溶液和超纯水中清除残余除胶剂溶液；

(6)沉积介质薄膜：利用化学气相沉积或物理气相沉积法在图形化形态的相变材料表面沉积介质薄膜，沉积厚度1～5000nm。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种改良相变材料的方法，其特征在于，所述衬底为普通玻璃片、熔融石英片、单晶硅片、镀有薄膜的衬底或其他具有图形化结构的衬底；所述除胶剂为N-甲基吡咯烷酮(NMP)或丙酮。

5.根据权利要求1、2或3所述的一种改良相变材料的方法，其特征在于，所述相变材料为由Sb、S、Se中两种或多种元素构成的混合物或化合物。

6.根据权利要求4所述的一种改良相变材料的方法，其特征在于，所述相变材料中还包括X元素，所述X元素选自于In、Bi、Ag、Al、Zn、Co、Ni、Cu、Sn、O、Ge或Te中的一种或多种元素。

7.根据权利要求1、2或3所述的一种改良相变材料的方法，其特征在于，所述相变材料为Sb₂S₃和/或Sb₂Se₃。

8.根据权利要求1、2或3所述的一种改良相变材料的方法，其特征在于，所述介质薄膜选自于氧化物、氮化物或硫化物中的一种或多种。