[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具备第一电极、连接于所述第一电极的第一导电型的第一半导体区域、设于所述第一半导体区域上并与所述第一半导体区域接触的第二导电型的第二半导体区域、设于所述第二半导体区域上并与所述第二半导体区域接触的多个第一金属层以及多个第二金属层、第三半导体区域、以及第二电极。所述第三半导体区域设于所述第一半导体区域与所述第一金属层之间，与所述第一半导体区域以及所述第二半导体区域接触，为所述第一导电型，杂质浓度比所述第一半导体区域的杂质浓度高。所述第二电极与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域、所述第一金属层以及所述第二金属层接触。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020－94936号(申请日：2020年5月29日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

已知有将金属与半导体接合而成的肖特基势垒二极管(Schottky BarrierDiode：SBD)。SBD具有正向的压降少、开关速度高的优点。另一方面，一般构造的SBD在半导体侧耗尽层扩散，电荷(例如电子)产生的电场在金属与半导体的边界面变得最高。因此，开发出混合存在有SBD与pn结二极管的JBS(Junction Barrier Schottky)二极管。JBS二极管将pn二极管包覆于内，从而耗尽层扩散到与半导体表面相比埋入于n^－层的一部分的p层与n^－层之间。若反向偏置的电压变高，则p层的耗尽层彼此击穿，最大电场移动到p层的正下方。由此，缺陷等较多的表面的电场下降，能够抑制泄漏电流。另外，在构成SBD的n^－层的一部分中埋入有p⁺层的构造中，将由p⁺层与原始的SBD的n^－层形成的pn结二极管包覆于内，在需要高电流(高浪涌电流)的定时导通。由此，电流输送能力提高，抑制大电流时的正向电压的上升且实现高浪涌耐受量。

发明内容

实施方式提供能够提高浪涌耐受量的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备第一电极、连接于所述第一电极的第一导电型的第一半导体区域、设于所述第一半导体区域上并与所述第一半导体区域接触的第二导电型的第二半导体区域、设于所述第二半导体区域上并与所述第二半导体区域接触的多个第一金属层以及多个第二金属层、第三半导体区域、以及第二电极。所述第三半导体区域设于所述第一半导体区域与所述第一金属层之间，与所述第一半导体区域以及所述第二半导体区域接触，为所述第一导电型，杂质浓度比所述第一半导体区域的杂质浓度高。所述第二电极与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域、所述第一金属层以及所述第二金属层接触。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是图1所示的A－A'线的剖面图。

图3是表示第二实施方式的半导体装置的俯视图。

图4是图3所示的B－B'线的剖面图。

图5是表示第一比较例的半导体装置的剖面图。

图6是表示第二比较例的半导体装置的剖面图。

图7的(a)是在横轴取正向电压并且在纵轴取正向电流而示出半导体装置的特性的曲线图，(b)是在横轴取逆向电压并且在纵轴取逆向电流而示出半导体装置的特性的曲线图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

首先，对第一实施方式进行说明。

图1是表示本实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是图1所示的A－A'线的剖面图。