[发明专利]光导闪烁体阵列

权利要求书

1.一种光导闪烁体阵列，包括多个呈阵列结构拼接的闪烁体基元，光线沿垂直所述闪烁体基元的横截面方向入射，其特征在于：每个所述的闪烁体基元，其材质的折射率沿其横截面方向由中心向外层逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的光导闪烁体阵列，其特征在于，每个所述的闪烁体基元均包括n个由不同材质制成的基层，所述基层包括沿横截面方向由中心逐渐向外层叠加的第1～第n基层；所述第1～第n基层，其材质的折射率阶跃减小，所述n≥2。

3.根据权利要求2所述的光导闪烁体阵列，其特征在于，所述的第1～第n基层的折射率在1.0～3.0之间。

4.根据权利要求2或3所述的光导闪烁体阵列，其特征在于，所述基层包括基质和掺杂于所述基质中的激活离子；

所述基质的材质为Lu₂O₃透明陶瓷或单晶、Lu₃Al₅O₁₂透明陶瓷或单晶、Y₃Al₅O₁₂透明陶瓷或单晶、(Gd_xLu_1-x)₃(Al_yGa_1-y)₅O₁₂透明陶瓷或单晶、(Y_aLu_bGd_c)₂O₃透明陶瓷或单晶、Gd₂O₂S透明陶瓷或单晶、(Ca_xMg_1-x)₃(Sc_yLu_1-y)₂Si₃O₁₂、NaI(TI)单晶材料、CsI(Na)单晶材料、BaF₂单晶材料、CaF₂(Eu)单晶材料、BGO单晶材料、CdWO₄单晶材料、PbWO₄单晶材料、YAP:Ce单晶材料、GSO：Ce单晶材料、LSO：Ce单晶材料中的一种或几种；其中0＜x＜1，0＜y＜1；0＜a＜1，0＜b＜1，且a+b+c＝1；

所述激活离子选自Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Eu²⁺、Dy²⁺、Ho²⁺、Er²⁺、Tm²⁺、Ti²⁺、Cr²⁺及Mn²⁺中的一种。

5.根据权利要求4所述的一种光导闪烁体阵列，其特征在于，所述的闪烁体基元的各个基层通过流延或注浆后再通过一体烧结而形；或通过环氧树脂或透明粘结剂将各个基层粘结形成闪烁体基元。

6.根据权利要求1或2所述的光导闪烁体阵列，其特征在于，所述闪烁体基元的侧面和底面通过反射介质或粘结剂连接，以形成闪烁体阵列。

7.根据权利要求1或2所述的光导闪烁体阵列，其特征在于，所述闪烁体基元为圆柱形或多棱形。