[发明专利]一种含三嗪类结构的化合物及其应用

说明书

本发明公开了一种含三嗪结构的化合物及其应用，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(1)所示；本发明化合物应用于OLED器件后，器件的电压和效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显，在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种含有三嗪化合物及其应用。

背景技术

有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的包括发光层的有机功能层，其中有机功能层是在阴极和阳极之间各层的总称。此外，在阳极和发光层之间可以存在空穴传输区域，并且在发光层和阴极之间可以存在电子传输区域。来自阳极的空穴可以通过空穴传输区域向发光层迁移，来自阴极的电子可以通过电子传输区域向发光层迁移。载流子(例如，空穴和电子)在发光层中复合并产生激子。根据量子力学原理，有机金属化合物材料作为掺杂材料可以实现100％的内量子产率。

尽管如此，对于三线态发光的磷光OLED，在器件电压、电流效率以及寿命方面仍然有改进的需求。尤其是对发光层中的主体和掺杂材料提出了更高的要求。其中，主体材料的性能通常会较大程度地影响有机电致发光器件的上述关键性能。

根据现有技术，咔唑类衍生物通常用作磷光掺杂的空穴型主体材料，三嗪类衍生物通常用作磷光掺杂的电子型主体材料。电子型主体材料的性能对有机电致发光器件的上述关键性能会产生显著影响，现有的电子型主体材料在器件电压、效率，尤其是器件寿命上均有改善的需求。

对于磷光OLED，发光层使用单一主体通常会导致空穴和电子不平衡，高电流密度下器件效率滚降严重且寿命缩短。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明申请人提供了一种含有三嗪化合物及其应用。本发明化合物具有三嗪结构，与其他取代基搭配，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。

本发明技术方案的内容：

一种含三嗪类结构的化合物，所述化合物结构如通式(1)所示：

通式(1)中，Ra表示为通式(2)或通式(3)所示结构：

Ra通过C_L1-C_L2键或者C_L3-C_L4-C_L5键与通式(1)中相邻的*标位点并环相连；

R₃、R₄分别独立的表示为通式(4)-通式(8)所示结构中的任一种；且R₃与R₄不同时表示为通式(8)所示结构；

通式(1)-(4)、通式(7)中，Z₁、Z₂分别独立地表示为C-R₁₀，R₁₀每次出现分别独立地表示为氢、氘、氚或苯基；

通式(1)、通式(2)中，表示通过单键连接或不连接，且通式(1)中，至少有两个表示为通过单键连接；

Y₁-Y₈分别独立地表示为C-R₁₁，R₁₁每次出现时分别独立地表示为氢、氘、氚或苯基；当表示通过单键连接时，连接处的Y₁、Y₂、Y₃、Y₄、Y₅、Y₆、Y₇或Y₈表示为C；