[发明专利]一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011602399.2 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112759776A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 金亚东;王雄伟;周玉波;朱正平 申请(专利权)人: 宁波长阳科技股份有限公司
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L101/12;C08L67/00;C08K5/134;C08K5/526;C09K19/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315031 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 聚芳酯 改性 液晶 高分子 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜,其特征在于:所述的聚芳酯改性的液晶高分子薄膜介电常数≤3.2(10GHz),逸散因子为≤0.004(10GHz);热膨胀系数为16-21ppm/K,吸水率小于0.05%;力学性能为TD抗拉强度为90-170MPa,TD断裂伸长率≥20%,MD抗拉强度为140-200MPa,MD断裂伸长率≥18%。

2.根据权利要1所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜,其特征在于:所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜由改性液晶高分子树脂制成。

3.根据权利要求2述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜,其特征在于:所述聚芳酯改性液晶高分子树酯的熔体粘度在为750-3000Pas。

4.根据权利要求2所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜,其特征在于:所述改性液晶高分子树酯包含液晶高分子树脂、聚芳酯树脂和抗氧剂。

5.根据权利要求4所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜,其特征在于:所述聚芳酯是一种无定型的聚酯材料,其与液晶高分子树脂具有部分相容性,同时其也具有低的介电常数(2.8,1GHz),低的介电损耗(0.007,1GHz)和高的耐热性(Tg=193℃)。

6.根据权利要求4所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜,其特征在于:所述液晶高分子树脂选自熔点大于或等于280℃的膜级树脂。

7.根据权利要求6所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜,其特征在于:所用聚芳酯树脂为双酚A、对二甲酸、间苯二甲酸中、对羟基苯甲酸中的两种或两种以上单体共聚而成的聚合物。

8.根据权利要求4所述的聚芳酯改性液晶高分子薄膜,其特征在于:抗氧剂选自抗氧剂246、抗氧剂168、抗氧剂1010、抗氧剂1790中的一种或两种复配使用。

9.一种聚芳酯改性液晶高分子薄膜的制备方法,其特征在于:将干燥后的各组分按一定配比在双螺杆挤出机内熔融、混炼、挤出造粒,得到改性液晶高分子树酯;然后再将改性料加入到单螺杆挤出机中,经T型模头挤出-流延-双拉或环型模头挤出-吹塑成膜法制得到;再经热处理后得到液晶高分子薄膜。

10.根据权利要求9所示的制备方法,其特征在于,可以用来制备厚度为25-100μm的液晶高分子高分子薄膜。

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