[发明专利]一种异质结紫外探测器及其制备方法有效

申请号：	202011603004.0	申请日：	2020-12-29
公开（公告）号：	CN112563353B	公开（公告）日：	2023-01-03
发明（设计）人：	刘可为;张超;陈星;申德振;李炳辉;艾秋;张振中	申请（专利权）人：	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号：	H01L31/0336	分类号：	H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/20
代理公司：	长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218	代理人：	高一明;郭婷
地址：	130033 吉林省长春***	国省代码：	吉林;22
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摘要：
搜索关键词：	一种异质结紫外探测器及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种异质结紫外探测器，其特征在于，包括：衬底(1)、制备于衬底(1)上的ZnO薄膜层(2)、制备于ZnO薄膜层(2)上的非晶Ga₂O₃薄膜层(3)、分别制备于非晶Ga₂O₃薄膜层(3)和ZnO薄膜层(2)上的接触电极(4)；所述ZnO薄膜层(2)与非晶Ga₂O₃薄膜层(3)接触面形成ZnO/非晶Ga₂O₃异质结；所述ZnO薄膜层(2)的厚度为100～180nm；所述非晶Ga₂O₃薄膜层(3)的厚度为150～210nm；所述接触电极(4)层材料为Au；负极制备于非晶Ga2O3薄膜层(3)上，正极制备于ZnO薄膜层(2)上；所述接触电极(4)层在氩气氛围下进行退火，形状为圆形，厚度为10～20nm。

2.如权利要求1所述的异质结紫外探测器，其特征在于，所述衬底(1)为蓝宝石衬底。

3.如权利要求1所述的异质结紫外探测器，其特征在于，所述非晶Ga₂O₃薄膜层(3)的面积小于所述ZnO薄膜层(2)的面积。

4.一种异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，

S1：准备一蓝宝石衬底，在衬底(1)表面生长ZnO薄膜层(2)；

S2：在所述ZnO薄膜层(2)表面生长非晶Ga₂O₃薄膜层(3)，ZnO薄膜层(2)与非晶Ga₂O₃薄膜层(3)的接触面形成异质结结构；

S3：在所述非晶Ga₂O₃薄膜层(3)和ZnO薄膜层(2)上形成接触电极(4)；

S4：所述接触电极(4)层在氩气氛围下进行退火。

5.如权利要求4所述的异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述ZnO薄膜层(2)的制备方法为分子外延技术。

6.如权利要求4所述的异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述，非晶Ga₂O₃薄膜层(3)的制备方法为磁控溅射技术。

7.如权利要求4所述的异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述接触电极(4)层材料为Au；负极制备于非晶Ga₂O₃薄膜层(3)上，正极制备于ZnO薄膜层(2)上；形状为圆形；制备方法为磁控溅射技术。

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