[发明专利]一种超薄硅片的制备方法、超薄硅片以及太阳能电池

权利要求书

1.一种超薄硅片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅衬底的表面形成缺陷层和外延层，所述缺陷层位于所述硅衬底和所述外延层之间；

对所述硅衬底进行加热，在所述硅衬底和外延层的界面处产生热应力，并在对硅衬底进行加热的同时或之后于边缘处形成所述硅衬底和所述外延层的初始分离界面；

从所述初始分离界面开始，逐渐从所述硅衬底上剥离所述外延层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底的表面形成缺陷层和外延层的步骤，依次包括：

在所述硅衬底的表面形成所述缺陷层；

在所述缺陷层上制备所述外延层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底的表面形成缺陷层和外延层的步骤，依次包括：

在所述硅衬底的表面制备所述外延层；

在所述外延层与所述硅衬底的接触界面处形成所述缺陷层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在对所述硅衬底进行加热的步骤中，所述缺陷层处的温度梯度至少为10K/mm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于边缘处形成所述硅衬底和所述外延层的初始分离界面的方法包括以下至少一种：

机械剥离边缘处的外延层；

或，

用激光扫描所述硅衬底和所述外延层的接触界面的边缘处。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底的表面形成缺陷层和外延层的步骤之后，还包括：

在所述外延层的表面设置支撑结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺陷层的厚度小于或等于2μm。

8.根据权利要求1-7所述的方法，其特征在于，所述从所述初始分离界面开始，逐渐从所述硅衬底上剥离所述外延层的方法包括以下至少一种：

外力提拉、卷曲或提升所述外延层或支撑结构。

9.一种超薄硅片，其特征在于，所述超薄硅片由权利要求1～8任一项所述的制备方法制备得到。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池中包括权利要求9所述的超薄硅片。