[发明专利]一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池

权利要求书

1.一种超薄硅片的切片方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅块体的表层下方设置缺陷层；

对所述表层进行电磁感应加热并控制加热的穿透深度δ不超过所述缺陷层的深度，电磁感应加热的同时或之后在边缘处形成所述硅块体和所述外延层的初始分离界面；

从所述初始分离界面开始，逐渐从所述硅块体上剥离所述表层，得到超薄硅片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述表层进行电磁感应加热的步骤，包括：

通过预设频率的电磁波对所述表层进行电磁感应加热，所述预设频率为单一频率或可调频率；

所述单一频率为100MHz以上；

所述可调频率采用以下方式设置：

采用100GHz以上的电磁波从室温加热至预设温度；

从预设温度开始采用100MHz～100GHz的电磁波进行加热，所述预设温度范围为100℃～300℃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述单一频率为1GHz以上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅块体的表层下方设置缺陷层之后，还包括：

在所述表层的表面设置支撑结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述支撑结构的材料包括有机物材料、玻璃、透明氧化铝晶体、金属材料中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述有机物材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-醋酸乙酯共聚物和聚乙烯醇缩丁醛酯中的至少一种；

所述金属材料包括金属网格、金属薄膜、金属线、金属片和金属板中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表层的厚度为1μm～100μm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺陷层的厚度小于或等于所述表层的厚度的30％。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述初始分离界面开始，逐渐从所述硅块体上剥离所述表层的方法包括以下至少一种：

外力提拉、卷曲、提升所述表层。

10.一种超薄硅片，其特征在于，所述超薄硅片由权利要求1-9任一项所述的超薄硅片的切片方法制备得到。

11.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池中包括权利要求10所述的超薄硅片。