[发明专利]用于形成铜金属层的方法及半导体结构

权利要求书

1.一种用于形成铜金属层的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底表面具有氧化亚铜层；

采用等离子体增强原子层沉积工艺还原部分所述氧化亚铜层，形成铜金属层。

2.根据权利要求1所述的用于形成铜金属层的方法，其特征在于，还包括：

放置所述衬底至等离子体增强原子层沉积装置的反应腔室；

传输还原性气体至所述反应腔室；

于所述反应腔室内电离所述还原性气体，形成等离子体，所述等离子体与部分所述氧化亚铜层反应，生成铜金属层。

3.根据权利要求2所述的用于形成铜金属层的方法，其特征在于，放置所述衬底至等离子体增强原子层沉积装置的反应腔室的具体步骤包括：

持续通入惰性载气至等离子体增强原子层沉积装置的反应腔室；

放置一衬底于所述反应腔室，所述衬底表面具有氧化亚铜层。

4.根据权利要求2所述的用于形成铜金属层的方法，其特征在于，生成铜金属层的步骤具体包括：

进行至少一次如下循环步骤，直至生成预设厚度的铜金属层，所述循环步骤包括：

传输还原性气体至所述反应腔室；

于所述反应腔室内电离所述还原性气体，形成等离子体，所述等离子体与部分所述氧化亚铜层反应，生成铜金属层；

除去所述等离子体与部分所述氧化亚铜层反应生成的副产物和残留的所述等离子体。

5.根据权利要求4所述的用于形成铜金属层的方法，其特征在于，所述还原性气体为NH₃。

6.根据权利要求5所述的用于形成铜金属层的方法，其特征在于，形成等离子体的具体步骤包括：

施加50W-400W的射频电源功率至所述反应腔室，使得NH₃电离。

7.根据权利要求4所述的用于形成铜金属层的方法，其特征在于，除去所述等离子体与部分所述氧化亚铜层反应生成的副产物和残留的所述等离子体的具体步骤包括：

采用吹扫气体对所述反应腔室进行气体吹扫，除去所述等离子体与部分所述氧化亚铜层反应生成的副产物和残留的所述等离子体。

8.根据权利要求7所述的用于形成铜金属层的方法，其特征在于，所述吹扫气体为惰性气体。

9.根据权利要求8所述的用于形成铜金属层的方法，其特征在于，采用吹扫气体对所述反应腔室进行气体吹扫的时间为10秒～15秒。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

氧化亚铜层，位于所述衬底表面；

铜金属层，位于所述氧化亚铜层背离所述衬底的表面，所述铜金属层采用如权利要求1-9中任一项所述用于形成铜金属层的方法形成。