[发明专利]耐腐蚀的钕铁硼磁体及表面处理方法和羟基化合物的用途有效
| 申请号： | 202011604230.0 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112786301B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 张雅文;胡占江;冀平;白继华;张明鑫;董义;袁易;陈雅;袁文杰 | 申请（专利权）人： | 包头天和磁材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京悦成知识产权代理事务所(普通合伙) 11527 | 代理人： | 樊耀峰;安平 |
| 地址： | 014030 内蒙古自治区包头*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 腐蚀 钕铁硼 磁体 表面 处理 方法 羟基 化合物 用途 | ||
【权利要求书】：
1.一种钕铁硼磁体的表面处理方法，其特征在于，包括将钕铁硼磁体在羟基化合物中浸泡，取出后吹干得到预制品的步骤；所述羟基化合物具有式(I)所示的结构：
其中，R选自C2～C15的烃基，n为1～3的自然数。
2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述羟基化合物为一元醇或二元醇，R选自C2～C15的烷基，n为1或2。
3.根据权利要求1～2任一项所述的表面处理方法，其特征在于，还包括将预制品进行热处理以在钕铁硼磁体表面形成氧化物层的步骤。
4.根据权利要求3所述的表面处理方法，其特征在于，所述热处理包括：将预制品置于隧道加热炉中，在380～450℃下加热25～50min；在加热过程中向隧道加热炉中通入氮气，氮气的流量控制在25～100L/min。
5.一种耐腐蚀的钕铁硼磁体，其特征在于，其通过如权利要求3或4所述的表面处理方法得到，其中，所述氧化物层的厚度为0.6～3.5μm；根据GB/T 10125-2012《人造气氛腐蚀试验盐雾试验》在35℃和5wt％NaCl条件下测定的所述耐腐蚀的钕铁硼磁体开始出现腐蚀的时间大于45分钟，根据GB/T2423.3-2006在85℃和85％RH条件下测定的所述耐腐蚀的钕铁硼磁体开始出现腐蚀的时间大于1.2小时。
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