[发明专利]一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种柔性砷化镓太阳能电池芯片，其特征在于，包括：

外延层；

依次层叠设置于所述外延层下表面的第一电极、铜衬底及碳纳米管薄膜；

覆盖于所述外延层上表面的减反射膜与接触层；

第二电极，设置于所述接触层上表面。

2.根据权利要求1所述的柔性砷化镓太阳能电池芯片，其特征在于：所述外延层包括自上而下依次设置的GaInP顶电池、第一隧穿结、GaAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InGaAs底电池。

3.根据权利要求1所述的柔性砷化镓太阳能电池芯片，其特征在于：所述第一电极由Pd面电极、Zn面电极、Cu面电极组成，其中，Pd面电极厚度为100nm，Zn面电极厚度为200nm，Cu面电极厚度为2000nm。

4.根据权利要求1所述的柔性砷化镓太阳能电池芯片，其特征在于：所述铜衬底厚度为30-50um。

5.根据权利要求1所述的柔性砷化镓太阳能电池芯片，其特征在于：所述碳纳米管薄膜由超声辅助电沉积镀液电沉积而成，所述电沉积碳纳米管厚度为10um。

6.一种柔性砷化镓太阳能电池芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100、在砷化镓衬底上生长一外延层；

S200、在所述外延层上制备依次层叠设置的第一电极、铜衬底及碳纳米管薄膜；

S300、剥离去除所述砷化镓衬底；

S400、在所述外延层去除所述砷化镓衬底的一面制作第二电极与减反射膜。

7.根据权利要求6所述的柔性砷化镓太阳能电池芯片制作方法，其特征在于：所述S100的外延层为在所述砷化镓衬底上依次生长剥离层、接触层、GaInP顶电池、第一隧穿结、GaAs中电池、第二隧穿结、缓冲层、InGaAs底电池。

8.根据权利要求7所述的柔性砷化镓太阳能电池芯片制作方法，其特征在于：所述S300通过腐蚀液对所述剥离层进行腐蚀，从而剥离去除所述砷化镓衬底，并裸漏出所述接触层。

9.根据权利要求8所述的柔性砷化镓太阳能电池芯片制作方法，其特征在于，所述S400包括：

S401、在所述接触层上制作第二电极；

S402、以第二电极作为掩膜对所述接触层进行腐蚀，裸露出未被第二电极覆盖的部分GaInP顶电池；

S403、在所述未被第二电极覆盖的部分GaInP顶电池表面制作减反射膜。

10.根据权利要求6所述的柔性砷化镓太阳能电池芯片制作方法，其特征在于：所述碳纳米管薄膜由超声辅助电沉积镀液电沉积而成，超声辅助电沉积镀液成分为CuSO4、H2SO4、十八烷基三甲基溴化铵、盐酸、多壁碳纳米管；所述电沉积碳纳米管厚度为10um，镀液PH值0.5-4.0，电沉积电流5-35A/dm2。