[发明专利]可变电阻式存储器结构及其形成方法

权利要求书

1.一种可变电阻式存储器结构，其特征在于，包含：

可变电阻式存储器单元，设置于基底上；以及

间隙壁，设置于该可变电阻式存储器单元侧边，其中该些间隙壁的上表面的宽度大于或等于下表面的宽度。

2.如权利要求1所述的可变电阻式存储器结构，还包含：

介电层，全面覆盖该基底并夹置该可变电阻式存储器单元，其中该些间隙壁位于该介电层中，且该介电层包含超低介电常数介电层。

3.如权利要求1所述的可变电阻式存储器结构，其中该些间隙壁包含柱状间隙壁。

4.如权利要求3所述的可变电阻式存储器结构，其中该些间隙壁具有矩形剖面结构。

5.如权利要求3所述的可变电阻式存储器结构，其中该些间隙壁具有由下至上渐宽的倾斜侧壁。

6.如权利要求5所述的可变电阻式存储器结构，其中该些间隙壁具有梯形剖面结构。

7.如权利要求1所述的可变电阻式存储器结构，其中该些间隙壁直接接触该基底。

8.如权利要求7所述的可变电阻式存储器结构，其中各该些间隙壁的底部延伸至该基底。

9.如权利要求1所述的可变电阻式存储器结构，其中该些间隙壁仅位于该介电层的顶部。

10.如权利要求1所述的可变电阻式存储器结构，其中该些间隙壁包含氮化硅、碳化硅、含氮的碳化硅、含碳的氮氧化硅。

11.如权利要求1所述的可变电阻式存储器结构，还包含：

氧化层，顺应覆盖该可变电阻式存储器单元。

12.如权利要求1所述的可变电阻式存储器结构，其中该基底由下至上包含超低介电常数介电层、含氮的碳化硅层以及氧化硅层。

13.如权利要求12所述的可变电阻式存储器结构，还包含：

通孔，设置在该氧化硅层以及该含氮的碳化硅层中并直接接触该可变电阻式存储器单元，且金属内连线结构设置在该超低介电常数介电层中并直接接触该通孔。

14.如权利要求1所述的可变电阻式存储器结构，其中该可变电阻式存储器单元包含由下至上堆叠的底电极、电阻材料层以及顶电极。

15.如权利要求14所述的可变电阻式存储器结构，还包含：

顶通孔以及底通孔，且该顶通孔、该底通孔以及该可变电阻式存储器单元设置在该介电层中，其中该顶通孔接触该顶电极，且该底通孔接触该底电极。

16.如权利要求1所述的可变电阻式存储器结构，其中该介电层的一部分位于该可变电阻式存储器单元以及该些间隙壁之间。

17.一种形成可变电阻式存储器的方法，包含：

形成可变电阻式存储器单元于基底上；

沉积介电层全面覆盖该可变电阻式存储器单元侧边的该基底；

蚀刻该介电层，以形成凹槽于该可变电阻式存储器单元侧边的该介电层中；以及

填入间隙壁于该些凹槽中。

18.如权利要求17所述的形成可变电阻式存储器的方法，在沉积该介电层之前，还包含：

形成氧化层顺应覆盖该可变电阻式存储器单元。

19.如权利要求17所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中填入该些间隙壁于该些凹槽中的步骤包含：

形成间隙壁材料于该些凹槽中以及该介电层上；以及

移除超出该些凹槽的该间隙壁材料。

20.如权利要求19所述的形成可变电阻式存储器的方法，其中形成该间隙壁材料的方法包含进行原子层沉积制作工艺。