[发明专利]大横截面单模光纤有效
| 申请号： | 202011606142.4 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112666650B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 余学才;秦宗;郭甜;李陈 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横截面 单模 光纤 | ||
【权利要求书】：
1.大横截面单模光纤，其特征在于，包括芯层结构和包层结构，芯层结构包括两个半径不相等、横截面呈半圆形的轻掺杂SiO2芯层，两个芯层的直径所在平面相贴合且横截面的圆心重合；包层结构包裹在芯层结构外围，包层结构的外边缘横截面呈圆形，其圆心与芯层横截面的圆心重合，包层结构为重掺杂的SiO2形成。
2.根据权利要求1所述的大横截面单模光纤，其特征在于，所述芯层结构的掺杂为Ge或P，包层结构的掺杂为B或F。
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