[发明专利]一种侧挡板等离子体熔覆高熵粉耐磨层的工艺及侧挡板

权利要求书

1.一种侧挡板等离子体熔覆高熵粉耐磨层的工艺，其特征在于，包括如下工艺步骤：

1）材料预处理，包括高熵粉预烘制并均匀混合，侧挡板基板工作面预设熔覆槽、并对熔覆槽表面清理后预热；

2）根据侧挡板上熔覆槽的规格参数设定熔覆槽进行三层等离子熔覆堆焊时每一层的熔覆厚度和每一层等离子熔覆参数；

定义熔覆槽经三层等离子熔覆堆焊后分别获得第一耐磨层、第二耐磨层和第三耐磨层；

所述第一耐磨层等离子熔覆参数为：熔覆堆焊电流为150-200A，离子气流量3.5-6L/min，行走速度50-300mm/min，离子束喷嘴距侧挡板熔覆槽的距离8-12mm，冷却水温度为15-24℃，保护气流量5-20L/min，送粉气流量3-8L/min，送粉量35g/min；

所述第二耐磨层等离子熔覆参数为：熔覆堆焊电流为220-230A，离子气流量3.5-6L/min，行走速度50-300mm/min，离子束喷嘴距侧挡板熔覆槽的距离8-12mm，冷却水温度为15-24℃，保护气流量5-20L/min，送粉气流量3-8L/min，送粉量35g/min；

所述第三耐磨层等离子熔覆参数为：熔覆堆焊电流为240-260A，离子气流量3.5-6L/min，行走速度50-300mm/min，离子束喷嘴距侧挡板熔覆槽的距离8-12mm，冷却水温度为15-24℃，保护气流量5-20L/min，送粉气流量3-8L/min，送粉量35g/min；

3）在设定工艺参数下对熔覆槽进行三层等离子熔覆堆焊，并对熔覆后侧挡板进行合格检测，包括熔覆层间结合检测、熔覆层硬度检测和外观检测；

4）对检测合格的等离子熔覆后侧挡板进行低温回火，消除金属组织应力。

2.根据权利要求1所述的侧挡板等离子体熔覆高熵粉耐磨层的工艺，其特征在于，所述侧挡板基板的宽度为120mm，所述熔覆槽自侧挡板工作面沿侧挡板基板宽度方向向侧挡板内部设置，并且熔覆槽沿侧挡板基板宽度方向的深度为10mm。

3.根据权利要求2所述的侧挡板等离子体熔覆高熵粉耐磨层的工艺，其特征在于，所述熔覆槽等离子熔覆时每一层沿侧挡板基板宽度方向的熔覆厚度记为H，H为3-4mm。

4.根据权利要求3所述的侧挡板等离子体熔覆高熵粉耐磨层的工艺，其特征在于，所述等离子熔覆参数为：离子气流量6L/min，行走速度150mm/min，离子束喷嘴距侧挡板熔覆槽的距离10mm，冷却水温度为20℃，保护气流量20L/min，送粉气流量8L/min，送粉量35g/min，第一耐磨层的熔覆堆焊电流为200A、第二耐磨层的熔覆堆焊电流为230A、第三耐磨层的熔覆堆焊电流为260A。

5.根据权利要求1所述的侧挡板等离子体熔覆高熵粉耐磨层的工艺，其特征在于，所述步骤1）中材料预处理的条件为：所述高熵粉在烘箱60-80℃的烘烤温度下烘烤10-12h后常温转移至混匀机混匀6-8h；所述侧挡板基板上熔覆槽依次经酒精或丙酮清除油污、抛光除锈、清洗干净后，在280-350℃的预热温度下预热4h。

6.根据权利要求1所述的侧挡板等离子体熔覆高熵粉耐磨层的工艺，其特征在于，所述步骤4）中低温回火的条件为：检测合格的等离子熔覆后侧挡板在300-350℃条件下，保温12h。

7.根据权利要求1所述的侧挡板等离子体熔覆高熵粉耐磨层的工艺，其特征在于，所述步骤2）中对熔覆槽进行三层等离子熔覆堆焊的离子焊机型号为DML-V03BD。

8.侧挡板，其特征在于，所述侧挡板的工作面设置有高熵粉耐磨层，所述高熵粉耐磨层采用权利要求1-7任一项所述的侧挡板等离子体熔覆高熵粉耐磨层的工艺制得。