[发明专利]用于气体传感器的隔爆结构、其制备方法及其封装方法

权利要求书

1.一种用于气体传感器的隔爆结构，其特征在于，所述隔爆结构包括连接的凹槽(1)和固定结构(2)；

所述固定结构(2)位于所述凹槽(1)的侧面，所述固定结构(2)与气体传感器的基座键合连接，所述凹槽(1)用于放置所述气体传感器的芯片；

所述凹槽(1)上设有多个通孔(3)；

所述隔爆结构的材料为硅。

2.根据权利要求1所述的用于气体传感器的隔爆结构，其特征在于，所述凹槽(1)的顶部与所述固定结构(2)的顶部位于同一平面；

所述凹槽(1)的底部与所述气体传感器的基座(5)连接；

所述固定结构(2)的底部与所述气体传感器的基座(5)连接。

3.根据权利要求1所述的用于气体传感器的隔爆结构，其特征在于，所述凹槽(1)的横截面积包括圆形；

所述多个通孔(3)中相邻通孔(3)之间存在预设距离。

4.根据权利要求1所述的用于气体传感器的隔爆结构，其特征在于，所述隔爆结构的长度与所述气体传感器的长度相等；

所述隔爆结构的宽度与所述气体传感器的宽度相等。

5.根据权利要求1所述的用于气体传感器的隔爆结构，其特征在于，所述固定结构(2)包括凹陷区域(21)，所述凹陷区域(21)用于暴露所述传感器的引线焊盘。

6.一种隔爆结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一硅衬底(7)；

利用光刻技术对所述硅衬底(7)的底部进行光刻，得到第一光刻结构(10)，所述第一光刻结构(10)包括连接的凹槽(1)和固定结构(2)，所述固定结构(2)位于所述凹槽(1)的侧面，所述固定结构(2)与气体传感器的基座(5)键合连接，所述凹槽(1)用于放置所述气体传感器的芯片；

利用所述光刻技术对所述第一光刻结构(10)的顶部进行光刻，在所述凹槽(1)上形成多个通孔(3)，得到所述隔爆结构。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述利用所述光刻技术对所述第一光刻结构(10)的顶部进行光刻，得到所述隔爆结构，包括：

利用所述光刻技术对所述硅衬底的顶部进行光刻，在所述凹槽(1)上形成所述多个通孔(3)，得到第二光刻结构；

通过所述光刻技术对所述第二光刻结构的顶部进行光刻，在所述固定结构(2)上形成凹陷区域(21)，所述凹陷区域(21)用于暴露所述传感器的引线焊盘，得到所述隔爆结构。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽(1)的深度为10微米～800微米；

所述凹槽(1)的横截面积为圆形；

所述凹槽(1)的直径为200微米～2000微米。

9.一种隔爆结构的封装方法，其特征在于，包括：

提供气体传感器，所述气体传感器包括基座、芯片和引线焊盘，所述芯片与所述引线焊盘电连接，且所述芯片与所述引线焊盘位于所述基座上；

提供隔爆结构(4)，所述隔爆结构(4)包括连接的凹槽(1)和固定结构(2)，所述固定结构(2)位于所述凹槽(1)的侧面，所述固定结构(2)与气体传感器的基座(5)键合连接，所述凹槽(1)用于放置所述气体传感器的芯片，所述凹槽(1)上设有多个通孔(3)，所述隔爆结构(4)的材料为硅；

将所述芯片对准所述凹槽(1)进行键合，完成封装。

10.一种隔爆结构阵列的封装方法，其特征在于，包括：

提供晶圆级的气体传感器阵列(13)，所述气体传感器阵列(13)中的每个气体传感器包括基座、芯片和引线焊盘，所述芯片与所述引线焊盘电连接，且所述芯片与所述引线焊盘位于所述基座上；

提供晶圆级的隔爆结构阵列(14)，所述隔爆结构阵列(14)中的每个隔爆结构(4)包括连接的凹槽(1)和固定结构(2)，所述固定结构(2)位于所述凹槽(1)的侧面，所述固定结构(2)与气体传感器的基座(5)键合连接，所述凹槽(1)用于放置所述气体传感器的芯片，所述凹槽(1)上设有多个通孔(3)，所述隔爆结构(4)的材料为硅；

将所述气体传感器阵列(13)的每个所述芯片对准所述隔爆结构阵列(14)的每个所述凹槽(1)进行键合，形成键合阵列结构；

切割所述键合阵列结构，得到单颗包含所述隔爆结构(4)的气体传感器，完成封装。