[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在设置在半导体衬底上方的半导体鳍上方形成第一介电层；

在所述第一介电层上方形成第二介电层；

使所述第二介电层凹进至每个半导体的顶部之下；

在凹进的第二介电层上方形成第三介电层；

使所述第三介电层凹进至每个半导体鳍的顶部之下，从而形成设置在所述半导体鳍之间的壁鳍，所述壁鳍包括凹进的第三介电层和设置在所述凹进的第三介电层下方的所述凹进的第二介电层；

使所述第一介电层凹进至所述壁鳍的顶部之下；

在每个半导体鳍的上部和所述壁鳍的上部上方形成鳍衬垫层，所述壁鳍从凹进的第一介电层突出；

蚀刻所述鳍衬垫层并且使所述半导体鳍凹进；以及

分别在凹进的半导体鳍上方形成源极/漏极外延层，

其中，所述源极/漏极外延层通过所述壁鳍彼此分隔开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层由彼此不同的介电材料制成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三介电层包括氧化铪。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二介电层包括氮化硅。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一介电层包括氧化硅。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，在蚀刻所述鳍衬垫层时，保留形成在每个半导体鳍的上部上方的所述鳍衬垫层的一部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在蚀刻所述鳍衬垫层时，形成在所述壁鳍的上部上方的所述鳍衬垫层被完全去除。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述鳍衬垫层包括氮化硅。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在设置在半导体衬底上方的多个半导体鳍上方形成第一介电层，从而在相邻的半导体鳍之间保留第一间隔；

在所述第一介电层上方形成第二介电层，从而使得所述第一间隔由所述第二介电层完全填充；

使所述第二介电层凹进至所述多个半导体鳍的每个的顶部之下，从而在由所述第一介电层覆盖的相邻半导体鳍之间的凹进的第二介电层之上形成第二间隔；

在所述凹进的第二介电层上方形成第三介电层，从而使得所述第二间隔由第三介电层完全填充；

使所述第三介电层凹进至所述多个半导体鳍的每个的顶部之下，从而形成设置在相邻半导体鳍之间的壁鳍；

使所述第一介电层凹进至每个所述壁鳍的顶部之下；

在所述多个半导体鳍的每个的上部和每个所述壁鳍的上部上方形成牺牲栅极结构，所述壁鳍从凹进的第一介电层突出；

在所述多个半导体鳍的每个的上部和每个所述壁鳍的上部上方形成鳍衬垫层，所述壁鳍从凹进的第一介电层突出并且由所述牺牲栅极结构覆盖；

蚀刻所述鳍衬垫层并且使所述多个半导体鳍凹进；

分别在多个凹进的半导体鳍上方形成源极/漏极外延层；以及

用金属栅极结构替换所述牺牲栅极结构，

其中，所述源极/漏极外延层通过所述壁鳍彼此分隔开。

10.一种半导体器件，包括：

第一半导体鳍和第二半导体鳍，设置在半导体衬底上方并且在第一方向上延伸；

隔离绝缘层，设置在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间；

壁鳍，在所述第一方向上延伸，其中，所述壁鳍的下部嵌入所述隔离绝缘层中，并且所述壁鳍的上部从所述隔离绝缘层突出；

栅极结构，设置在所述第一半导体鳍的沟道区域和所述第二半导体鳍的沟道区域上方并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

第一源极/漏极外延层和第二源极/漏极外延层，所述第一源极/漏极外延层设置在所述第一半导体鳍的源极/漏极区域上方，并且所述第二源极/漏极外延层设置在所述第二半导体鳍的源极/漏极区域上方，其中：

所述第一源极/漏极外延层和所述第二源极/漏极外延层通过所述壁鳍分隔开，

所述壁鳍包括下部介电层和设置在所述下部介电层上方并且由与所述下部介电层不同的材料制成的上部介电层，以及

所述上部介电层包括介电常数高于所述下部介电层和所述隔离绝缘层的介电材料。