[发明专利]一种基于电流复用驱动电路的Doherty功放芯片在审

专利信息
申请号: 202011606713.4 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112821871A 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 卢阳;周九鼎;马晓华;王语晨;赵子越;易楚朋;刘文良 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/56
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 电流 驱动 电路 doherty 功放 芯片
【权利要求书】:

1.一种基于电流复用驱动电路的Doherty功放芯片,其特征在于,包括:

前级驱动放大器A,用于提高信号的增益;

末级Doherty功放B,所述末级Doherty功放B连接所述前级驱动放大器A,用于对增益提高后的信号进行功率放大;

所述前级驱动放大器A包括输入匹配电路、级间匹配电路、第一输出匹配电路、两个基极偏置电路、电感L1、电感L2、电感Ls、晶体管Q1、晶体管Q2、电容C1和电容Cs,其中,

所述输入匹配电路连接输入端,所述输入匹配电路连接所述晶体管Q1的基极,所述晶体管Q1的发射极接地,所述晶体管Q1的集电极连接所述级间匹配电路的一端和所述电感L1的一端,所述级间匹配电路的另一端连接所述电感Ls的一端,所述电感L1的另一端连接所述晶体管Q2的发射极和所述电容C1的一端,所述电感Ls的另一端连接所述电容Cs的一端,所述电容Cs的另一端连接所述晶体管Q2的基极,所述晶体管Q2的发射极连接所述电容C1的一端,所述电容C1的另一端接地,所述晶体管Q2的集电极连接所述电感L2的一端和所述第一输出匹配电路,所述电感L2的另一端连接电压源Vcc,所述第一输出匹配电路连接所述末级Doherty功放B,在所述输入匹配电路和所述晶体管Q1之间还连接有一所述基极偏置电路,在所述电容Cs和所述晶体管Q2之间也连接有一所述基极偏置电路。

2.根据权利要求1所述的Doherty功放芯片,其特征在于,所述输入匹配电路包括电容C3和电感L3,其中,

所述电容C3的一端连接所述输入端和所述电感L3的一端,所述电容C3的另一端接地,所述电感L3的另一端连接所述晶体管Q1的基极。

3.根据权利要求1所述的Doherty功放芯片,其特征在于,所述级间匹配电路包括电容C4,其中,

所述电容C4的一端连接所述晶体管Q1的集电极和所述电感Ls,所述电容C4的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的Doherty功放芯片,其特征在于,所述第一输出匹配电路包括电容C5,其中,

所述电容C5的一端连接所述晶体管Q2的集电极和所述末级Doherty功放B,所述电容C5的另一端接地。

5.根据权利要求1所述的Doherty功放芯片,其特征在于,所述末级Doherty功放B包括集总式功分器C、载波放大器D、峰值放大器E和第二输出匹配电路F,其中,

所述集总式功分器C的输入端连接所述前级驱动放大器A的输出端,所述集总式功分器C的第一输出端连接所述载波放大器D的输入端,所述集总式功分器C的第二输出端连接所述峰值放大器E的输入端,所述载波放大器D的输出端和所述峰值放大器E的输出端均连接所述第二输出匹配电路F。

6.根据权利要求5所述的Doherty功放芯片,其特征在于,所述集总式功分器C包括电容C6、电容C7、电容C8、电感L4、电感L5和电阻R2,其中,

所述电容C6的一端连接所述前级驱动放大器A,所述电容C6的另一端连接所述电感L4的一端、所述电感L5的一端、所述电容C7的一端和所述电容C8的一端,所述电感L4的另一端和所述电感L5的另一端均接地,所述电容C7的另一端连接所述电阻R2的一端,所述电容C8的一端连接所述电阻R2的另一端,所述电阻R2的一端连接所述载波放大器D,所述电阻R2的另一端连接所述峰值放大器E。

7.根据权利要求6所述的Doherty功放芯片,其特征在于,所述载波放大器D包括补偿线C、电容C9、电容C10、电容C11、晶体管Q3、电感L6、电感L7和基极偏置电路,其中,

所述补偿线C的一端连接所述电阻R2,所述补偿线C的另一端连接所述电容C9的一端和所述晶体管Q3的基极,所述电容C9的另一端接地,在所述电容C9和所述晶体管Q3之间还连接一所述基极偏置电路,所述晶体管Q3的发射极接地,所述晶体管Q3的集电极连接所述电感L6的一端和所述电感L7的一端,所述电感L6的另一端连接电压源Vcc,所述电感L7的另一端连接所述电容C10的一端和所述电容C11的一端,所述电容C10的另一端接地,所述电容C11的另一端连接所述第二输出匹配电路F。

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