[发明专利]稳压电路、稳压方法、充电电路及电子设备有效
申请号: | 202011606842.3 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112737326B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 刘金风 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H02M3/157 | 分类号: | H02M3/157;H02M3/158;H02J7/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稳压 电路 方法 充电 电子设备 | ||
1.一种稳压电路,其特征在于,包括
调压模块,其输入端接入输入电压VBAT,其输出端输出所需电压VDD;所述调压模块为升降压变换器结构;以及
驱动控制器,其输入端接入所述输入电压VBAT,其输出端电连接所述调压模块;
所述驱动控制器用以判断所述输入电压VBAT是否小于等于第一预设电压Un,
若是,则控制所述调压模块直接将所述输入电压VBAT升高至所述所需电压VDD并输出;
若否,则判断所述输入电压VBAT是小于第二预设电压Um还是等于所述第二预设电压Um,若所述输入电压VBAT小于所述第二预设电压Um,则控制所述调压模块将所述输入电压VBAT升高至第二预设电压Um,之后再控制所述调压模块将升高后的输入电压VBAT降压至所述所需电压VDD并输出;若所述输入电压VBAT等于所述第二预设电压Um,则控制所述调压模块直接将所述输入电压VBAT降压至所述所需电压VDD并输出;
其中,所述第一预设电压Un小于所述所需电压VDD,所述所需电压VDD小于所述第二预设电压Um;
所述稳压电路包括第一工作模式以及第二工作模式,所述稳压电路用于判断所述输入电压VBAT的范围以执行所述第一工作模式或所述第二工作模式;当VBAT≤Un时,所述稳压电路进入第一工作模式,对所述输入电压VBAT升压至所述所需电压VDD;当Un<VBAT时,所述稳压电路进入第二工作模式,对所述输入电压VBAT先升压再降压至所述所需电压VDD;
所述第二工作模式包括调压模式以及供电模式;当Un<VBAT<Um时,所述稳压电路进入所述调压模式,对所述输入电压VBAT升压至Um,其中Um为所述输入电压VBAT的最大电压值;当VBAT=Um时,所述稳压电路进入所述供电模式,在所述输入电压VBAT升压至Um后再在Um作用下导通一寄生二极管DS以输出所述所需电压VDD,所述寄生二极管DS的导通电压为Ur,其中Um-Ur=VDD。
2.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,所述调压模块包括
电感线圈,其输入端接入所述输入电压VBAT,所述电感线圈可用以对所述输入电压VBAT升压。
3.根据权利要求2所述的稳压电路,其特征在于,所述调压模块还包括N沟道MOS管,包括源极、漏极以及栅极;所述源极电连接至所述电感线圈的输出端,所述漏极用以输出所需电压VDD,所述栅极电连接至所述驱动控制器的一个输出端;当所述输入电压VBAT小于等于所述第一预设电压Un时,所述N沟道MOS管打开;当所述输入电压VBAT大于所述第一预设电压Un时,所述N沟道MOS管关闭。
4.根据权利要求2所述的稳压电路,其特征在于,所述调压模块还包括P沟道MOS管及电容;所述P沟道MOS管包括源极、漏极以及栅极;所述漏极电连接至所述电感线圈的输出端,所述源极电连接至所述电容的一端,所述栅极电连接至所述驱动控制器的另一个输出端;所述电容的另一端电连接至所述N沟道MOS管的漏极;当所述输入电压VBAT大于所述第一预设电压Un时,所述P沟道MOS管导通;当所述输入电压VBAT等于第二预设电压Um时,所述P沟道MOS管关闭。
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