[发明专利]一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法

权利要求书

1.一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法，其特征在于，

先对硅片进行处理得到处理硅片；

利用第一离子源对处理硅片进行预处理；

利用溅射电源和第二离子源对处理硅片进行镀膜得到镀膜硅片；对处理硅片进行镀膜的具体过程为：先打开溅射电源，再打开第二离子源，而后利用溅射电源和第二离子源同时对处理硅片的上表面和下表面分别沉积得到ITO薄膜；

再利用第三离子源对镀膜硅片进行处理；第三离子源的直流电压为200～500V，电流为15～40A，RF功率为100～300W；

其中，对处理硅片进行预处理的具体过程为：利用第一离子源对处理硅片的非晶硅层表面进行清扫。

2.根据权利要求1所述的一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法，其特征在于，对硅片进行处理的具体过程为：先对硅片进行制绒和清洗得到制绒后的n型单晶硅片；再采用化学气相沉积法对制绒后的n型单晶硅片的表面进行沉积得到处理硅片。

3.根据权利要求1所述的一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法，其特征在于，在对处理硅片进行预处理之前包括：对镀膜室抽真空，再向镀膜室内通入氩气和氧气，氩气与氧气的气体流量比为20:1～1000:1，且镀膜室的压强保持为0.2～5Pa。

4.根据权利要求1所述的一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法，其特征在于，第一离子源的直流电压为10～100V，电流为0.5～5A，RF功率为1～30W。

5.根据权利要求1所述的一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法，其特征在于，溅射电源的功率密度为2～10kW/m；第二离子源的直流电压为50～350V，电流为5～20A，RF功率为20～150W。

6.根据权利要求1所述的一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法，其特征在于，在开启第三离子源时，同时开启第三离子源的衬底加温，并设定衬底温度为100～220℃。

7.根据权利要求1或5所述的一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法，其特征在于，ITO薄膜的厚度为70～80nm。