[发明专利]一种产生高品质电子束的往返式同轴腔电子加速器在审
| 申请号： | 202011607675.4 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112888138A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赵全堂;张子民;李中平;曹树春;刘铭;申晓康;宗阳;李佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | H05H7/04 | 分类号： | H05H7/04;H05H7/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 孙楠 |
| 地址： | 730013 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 产生 品质 电子束 往返 同轴 电子 加速器 | ||
【权利要求书】：
1.一种产生高品质电子束的往返式同轴腔电子加速器，包括电子枪、加速腔和高频功率源，其特征在于：还包括设置在加速腔外部的束流偏转引导系统，由束流偏转引导系统引导电子多次加速。
2.如权利要求1所述加速器，其特征在于：所述束流偏转引导系统包括多个QF和BD，其中，QF为水平方向聚焦的永磁四极磁铁结构，BD为多个同时拥有水平方向偏转的二极磁场和带有水平方向散焦的四极磁场的复合型永磁铁；每个所述QF与每个所述BD之间连接在一起形成QF-BD模块，多个所述QF-BD模块形成横向偏转且同时水平方向聚焦-散焦的束流传输方式。
3.如权利要求2所述加速器，其特征在于：所述QF与所述BD之间采用垫补法通过永磁块拼接组装在一起。
4.如权利要求2所述加速器，其特征在于：设置所述QF-BD模块的数量，形成不同的束流传输轨迹。
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