[发明专利]一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备及工艺

权利要求书

1.一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，包括炉门(1)与炉体(5)，其特征在于：所述炉门(1)的右侧安装有第一法兰(2)，且第一法兰(2)的右侧设置有第一固定板(4)，该第一固定板(4)的上端开设有第一冷却水出口(3)，所述炉体(5)的内部填充有石英管(6)，且该炉体(5)的左下角分别开设有进气口(17)与第二冷却水进口(16)，所述炉体(5)的右上角安装有第二固定板(7)，且该第二固定板(7)的右端安装有第二法兰(8)，所述炉后门(9)的中间位置安装有电极(10)，且炉后门(9)通过电极(10)与电源(11)连接，所述炉后门(9)的右侧还连接有过滤装置(15)，该过滤装置(15)的右端上下两侧分别开设有第二冷却水出口(12)与第一冷却水进口(14)。

2.根据权利要求1所述的一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，其特征在于：所述第二冷却水进口(16)安装于进气口(17)的右侧。

3.根据权利要求1所述的一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，其特征在于：所述电极(10)的正负极分别连接至电源(11)的正极接线端与负极接线端上。

4.根据权利要求1所述的一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，其特征在于：所述第二冷却水出口(12)与第一冷却水进口(14)的孔径一致。

5.根据权利要求1所述的一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，其特征在于：所述过滤装置(15)的顶端连接有一个真空泵(13)。

6.根据权利要求1所述的一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，其特征在于：所述第二法兰(8)安装于炉后门(9)上。

7.根据权利要求1所述的一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的工艺，其特征在于：该工艺包括以下步骤：

步骤一、使用PECVD方式生长使SiO2膜生长，按比例通入O3或NO2气体，经过射频电源将气体离子化后沉积在硅片表面，控制反应压力在2000-3000mtorr，沉积时间为3-5min，沉积温度200-450℃，形成氧化硅薄膜，膜的厚度控制1-5nm范围；

步骤二、控制腔体温度350-600℃内，压力2000-3000mtorr，按照1:10的比例通入SiH4和Ar，将射频电源频率调高至400KHZ，沉积时间为30-35min。形成非晶硅薄膜，膜的厚度控制60-100nm范围；

步骤三、通过后续设备的常规退火完成掺杂；

步骤四、再返回本设备进行氮化硅膜生长，最后完成完整的TOPCon工艺。