[发明专利]磁存储器器件和磁存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁存储器器件，包括：

磁隧道结(MTJ)堆叠件；

自旋轨道扭矩(SOT)感应布线，设置在所述磁隧道结堆叠件上方；

第一端子，耦合至所述自旋轨道扭矩感应布线的第一端；

第二端子，耦合至所述自旋轨道扭矩感应布线的第二端；以及

选择器层，耦合至所述第一端子。

2.根据权利要求1所述的磁存储器器件，还包括：

底部电极，设置在所述磁隧道结堆叠件下方并且耦合至所述磁隧道结堆叠件，并且耦合至开关器件。

3.根据权利要求2所述的磁存储器器件，其中：

所述磁隧道结堆叠件包括：

第一磁层，作为磁自由层；

非磁间隔件层，设置在所述第一磁层下方；和

第二磁层，作为磁参考层，设置在所述非磁间隔件层下方；

并且所述自旋轨道扭矩感应布线设置在所述第一磁层上方。

4.根据权利要求3所述的磁存储器器件，其中，所述磁隧道结堆叠件还包括设置在所述第一磁层和所述自旋轨道扭矩感应布线之间的界面层。

5.根据权利要求3所述的磁存储器器件，其中，所述第一磁层是Fe_xCo_yB_1-x-y，0.50≤x≤0.70并且0.10≤y≤0.30。

6.根据权利要求5所述的磁存储器器件，其中，所述第二磁层包括Co、Fe和B的层以及Fe和B的层中的至少一个。

7.根据权利要求3所述的磁存储器器件，其中，所述磁隧道结堆叠件还包括位于所述第二磁层下方的第三磁层，所述第三磁层具有与所述第二磁层不同的组分。

8.根据权利要求1所述的磁存储器器件，其中，所述自旋轨道扭矩感应布线包括W、Ta、Mo和IrMn的一个或多个层。

9.一种磁存储器，包括：

第一字线；位线；第二字线；源极线；和存储器单元，

其中，所述存储器单元包括：

磁隧道结(MTJ)堆叠件；

自旋轨道扭矩(SOT)感应布线，耦合至所述磁隧道结堆叠件的一端；

第一端子，耦合至所述自旋轨道扭矩感应布线的第一端；

第二端子，耦合至所述自旋轨道扭矩感应布线的第二端并且耦合至所述源极线；

第三端子，耦合至所述磁隧道结堆叠件的另一端；

选择器层，耦合至所述第一端子并且耦合至所述第二字线；以及

开关晶体管，耦合至所述第三端子和所述位线，所述开关晶体管的栅极耦合至所述第一字线。

10.一种制造磁存储器的方法，包括：

在衬底上方形成开关晶体管；

在所述衬底上方形成位线；

在所述衬底上方形成磁隧道结膜堆叠件；

在所述磁隧道结膜堆叠件上方形成自旋轨道扭矩感应布线；

在所述自旋轨道扭矩感应布线上方形成选择器材料层，使得所述选择器材料层耦合至所述自旋轨道扭矩感应布线的一端；

形成源极线，使得所述源极线耦合至所述自旋轨道扭矩感应布线的另一端；以及

在所述选择器材料层和所述源极线之上形成第二字线。