[发明专利]具有在光电二极管层上印制的驱动微集成芯片的X射线检测器

权利要求书

1.一种X射线检测器，包括：

光电二极管层，其包括多个光电二极管并且被配置为接收已经穿过目标对象的X射线并将接收到的X射线转换成电信号；以及

驱动层，其在所述光电二极管层上形成并且包括多个像素驱动集成芯片，每个像素驱动集成芯片耦合到所述光电二极管层中的两个或更多个光电二极管，

其中多个像素驱动集成芯片与所述光电二极管层分开制造并且附接在所述光电二极管层上。

2.如权利要求1所述的X射线检测器，其中使用微转移印刷方法将所述多个像素驱动集成芯片印刷在所述光电二极管层上。

3.如权利要求1所述的X射线检测器，其中所述多个像素驱动集成芯片中的每个像素驱动集成芯片耦合到所述光电二极管层中的两个或更多个光电二极管并且控制耦合的光电二极管。

4.如权利要求3所述的X射线检测器，其中所述多个像素驱动集成芯片中的每个像素驱动集成芯片耦合到四个光电二极管。

5.如权利要求4所述的X射线检测器，其中所述多个像素驱动集成芯片中的每个像素驱动集成芯片包括：

定时生成器，被配置为生成定时信号以顺序地控制所述耦合的光电二极管；

多个开关，每个开关耦合到对应的光电二极管；以及

像素驱动晶体管，被配置为根据生成的定时信号顺序地接通所述多个开关。

6.如权利要求1所述的X射线检测器，其中：

所述光电二极管层使用薄膜晶体管(TFT)处理来制造；并且

所述多个像素驱动集成芯片使用互补金属氧化物半导体(CMOS)处理在源晶片上制造、被转移到弹性体印模上，并通过所述微转移印刷方法使用所述弹性体印模被印刷在所述光电二极管层上。

7.如权利要求1所述的X射线检测器，还包括：

闪烁体层，其形成在所述驱动层上作为正面照明型X射线检测器并被配置为将X射线转换成可见光光子。

8.如权利要求1所述的X射线检测器，还包括：

闪烁体层，在所述光电二极管层上作为背面照明型X射线检测器形成并被配置为将X射线转换成可见光光子。

9.如权利要求1所述的X射线检测器，其中所述多个像素驱动集成芯片中的每个像素驱动集成芯片在所述光电二极管层上形成，以形成具有对应光电二极管的对应公共底层和对应金属触点的三维结构。

10.如权利要求1所述的X射线检测器，其中由预定树脂制成的粘合层在所述光电二极管层上形成，以在其上印刷所述多个像素驱动集成芯片。

11.如权利要求1所述的X射线检测器，其中所述多个像素驱动集成芯片在源硅晶片上制造，制造的所述多个像素驱动集成芯片被转移到弹性体印模上，并且制造的所述多个像素驱动集成芯片通过将所述弹性体印模压印在所述光电二极管层上而被印刷在所述光电二极管层上。

12.一种用于制造X射线检测器的方法，包括：

在绝缘基板上形成光电二极管层，其中所述光电二极管层包括多个光电二极管并且被配置为接收已经穿过目标对象的X射线并将接收到的X射线转换成电信号；

通过在所述光电二极管层上附接多个像素驱动集成芯片而在所述光电二极管层上形成驱动层；

形成通过所述驱动层和所述光电二极管层的接触孔并且通过填充所述接触孔来形成金属接触层，以用于将一个像素驱动集成芯片耦合到所述光电二极管层中的两个或更多个光电二极管。

13.如权利要求12所述的方法，其中形成驱动层包括：使用微转移印刷方法在所述光电二极管层上印刷所述多个像素驱动集成芯片。