[发明专利]硅片单侧膜淀积的方法在审
| 申请号： | 202011609514.9 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112802734A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 方小磊;刘佳晶;于乐;陈涛;王宣欢;陈艳明 | 申请（专利权）人： | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;C23C16/04;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 单侧膜淀积 方法 | ||
1.一种硅片单侧膜淀积的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1在十级洁净室内设置室内温度22℃±1℃，设置室内湿度为45％±10％；
S2在洁净室内，人工将背膜粘贴在晶圆贴片环的一侧表面上且背膜粘贴后表面无褶皱；
S3将硅片放在操作台上且所述硅片的保护侧表面朝上，将所述背膜带有所述晶圆贴片环的一面与所述硅片的上表面进行面对面对准；
S4将所述背膜粘贴在硅片表面上，粘贴好的背膜与所述硅片之间无气泡；
S5将粘合在一起的背膜和硅片沿所述晶圆贴片环的内环剪下；
S6将步骤S5中的硅片送入ALD晶舟内进行薄膜沉积并设置所述ALD晶舟的工作参数；
S7根据步骤6中的设定，拟合薄膜厚度公式；
S8硅片加工完成，从ALD晶舟内取出并剥离所述背膜。
2.根据权利要求1所述的硅片单侧膜淀积的方法，其特征在于，所述ALD晶舟内的参数设定为：
所述ALD晶舟的速度旋转在2rmp至10rmp之间；
三甲基铝的流量在200sccm至400sccm之间；
氧气流量设为8sLm；
氮气流量在0.3sLm至1sLm之间；
所述ALD晶舟的腔体压力设为0.05torr至0.1torr之间；
压力阀角度在85-88°之间；
薄膜沉积的反应温度在250-300℃之间。
3.根据权利要求2所述的硅片单侧膜淀积的方法，其特征在于，所述薄膜沉积过程中薄膜沉积的厚度公式为：
T＝0.0801L+14.75 (1)
其中，T为薄膜厚度，L为循环次数。
4.根据权利要求1所述的硅片单侧膜淀积的方法，其特征在于，还包括用于剪切物体的美工刀、洁净手套。
5.根据权利要求1所述的硅片单侧膜淀积的方法，其特征在于，所述步骤S2中的背膜的厚度在20μm至200μm之间，所述背膜的宽度为210mm至250mm之间，所述背膜可承受的温度为250℃至300℃之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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