[发明专利]存储器器件及其操作方法

说明书

提供了一种存储器器件。该存储器器件包括存储器单元和连接到存储器单元的位线。负电压生成器连接到位线。负电压生成器在使能时用于向位线提供第一写入路径。控制电路连接到负电压生成器和位线。当负电压生成器未被使能时，控制电路用于向位线提供第二写入路径。本发明的实施例还提供了一种操作存储器器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器器件及其操作方法。

背景技术

通用类型的集成电路存储器是静态随机存取存储器(SRAM)器件。典型的SRAM存储器器件包括位单元的阵列，每个位单元具有连接在高参考电位和低参考电位之间的六个晶体管。每个位单元具有两个可以存储信息的存储节点。第一节点存储期望的信息，而互补信息存储在第二存储节点处。SRAM单元具有无需刷新即可保存数据的有益特征。

然而，负位线技术到来是有代价的。例如，增加数量的晶体管导致写入驱动器晶体管或多路复用器晶体管的栅极至源极电压(称为Vgs)下降。Vgs的下降导致较小的写入电流，较小的写入电流恐怕可能会限制Vccmin。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种存储器器件，包括：存储器单元；位线，连接到存储器单元；负电压生成器，连接到位线，其中，负电压生成器用于为位线提供第一写入路径；以及控制电路，连接到负电压生成器和位线，其中，当负电压生成器未被使能时，控制电路用于为位线提供第二写入路径。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种存储器器件，包括：存储器单元；位线，连接到存储器单元；第一写入路径，连接到位线，其中，第一写入路径包括用于向位线提供负电压的负电压生成器电路；以及第二写入路径，与位线可连接，其中，响应于写入辅助信号从第一值改变为第二值，位线连接到第二写入路径。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种操作存储器器件的方法，方法包括：接收指示存储器器件中的写入操作的写入使能信号，存储器器件包括存储器单元和连接到存储器单元的位线；响应于写入使能信号而生成写入辅助信号；响应于写入辅助信号达到第一值而使能负电压生成器，负电压生成器向位线提供第一写入路径；以及响应于写入辅助信号达到第二值，向位线提供第二写入路径。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是示出根据一些实施例的示例存储器器件的框图。

图2是根据一些实施例的存储器器件的局部电路图和局部框图。

图3A示出了根据一些实施例的用于存储器器件的第一写入路径的电路图。

图3B示出了根据一些实施例的用于存储器器件的第二写入路径的电路图。

图4是示出根据一些实施例的用于第一写入路径和第二写入路径的Vccmin电压的图。

图5是根据一些实施例的存储器器件的另一局部电路图和局部框图。

图6是根据一些实施例的存储器器件的又一局部电路图和局部框图。

图7是示出根据一些实施例的操作存储器器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然，这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。