[发明专利]一种结晶型含萘聚芳酰胺高温储能薄膜介电材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种结晶型含萘聚芳酰胺高温储能薄膜介电材料，具有式I所示结构：

其中，n＝100～800，且n为整数；

R₁为R₂为

R'为

2.根据权利要求1所述的结晶型含萘聚芳酰胺高温储能薄膜介电材料，其特征在于，包括n＝100～600；或n＝400～800。

3.权利要求1或2所述结晶型含萘聚芳酰胺高温储能薄膜介电材料的制备方法，包括以下步骤：

将1,4-萘二甲酸、对苯二甲酸、含苯醚基团的二胺、亚磷酸三苯酯、N-甲基吡咯烷酮、吡啶和氯化锂混合，将所得混合物料进行Yamazaki磷酰化反应，得到结晶型含萘聚芳酰胺高温储能薄膜介电材料；

所述含苯醚基团的二胺为1,4-双(4-氨基苯氧基)苯或4,4-二氨基二苯醚。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述1,4-萘二甲酸、对苯二甲酸、含苯醚基团的二胺和亚磷酸三苯酯的摩尔比为(0.7～1)：(0～0.3)：1：(2～5)，且所述对苯二甲酸的用量不为0。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述N-甲基吡咯烷酮和吡啶的体积之和与氯化锂的用量比为1mL：(0.08～0.15)g；所述N-甲基吡咯烷酮与吡啶的体积比为1：(0.2～0.4)。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，以质量百分含量计，所述混合物料的固含量为10～20％。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述Yamazaki磷酰化反应的温度为105～120℃，时间为5～6.5h。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，完成所述Yamazaki磷酰化反应后，还包括：将所得物料依次进行冷却、粉碎、抽滤、煮沸、过滤和干燥，得到结晶型含萘聚芳酰胺高温储能薄膜介电材料。

9.权利要求1或2所述结晶型含萘聚芳酰胺高温储能薄膜介电材料或权利要求3～8任一项所述制备方法制备得到的结晶型含萘聚芳酰胺高温储能薄膜介电材料在航空航天、石油和天然气开采领域的应用。