[发明专利]全固态电致变色器件及其制备方法

权利要求书

1.一种全固态电致变色器件，包括基底以及处在所述基底同侧的多层膜结构，其特征在于，所述多层膜结构包括：

两导电层，其中一导电层覆着于所述基底；

介于两导电层之间的电致变色层，离子传导层和离子存储层；所述电致变色层的密度在远离离子存储层方向上呈逐渐变大的趋势。

2.根据权利要求1所述的全固态电致变色器件，其特征在于，所述电致变色层的材料为氧化钨、氧化钛、氧化钒、氧化锆、氧化铌、氧化钼、氧化钽中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的全固态电致变色器件，其特征在于，所述电致变色层的厚度为300～1000nm。

4.根据权利要求1所述的全固态电致变色器件，其特征在于，所述两导电层的材料为氧化铟锡，氧化锌铝，掺氟氧化锡，纳米银网，石墨烯中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的全固态电致变色器件，其特征在于，所述离子存储层包括本体和离子源。

6.根据权利要求5所述的全固态电致变色器件，其特征在于，所述本体的材料为氧化镍、氧化钴、氧化铁、氧化锰、氧化铬、氧化铑、氧化铱、氧化镍钨、氧化镍钒、氧化镍锰、氧化镍铝中的一种或多种；

所述离子源为氢离子、锂离子、钠离子、钾离子、镁离子中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的全固态电致变色器件，其特征在于，所述离子存储层的厚度为100～350nm；所述离子存储层中离子掺杂量在0.1～10％。

8.根据权利要求1所述的全固态电致变色器件，其特征在于，在所述离子存储层和电致变色层之间形成阻止电子通过而能够让离子通过的界面区域。

9.权利要求1～8任一所述的全固态电致变色器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在基底一侧沉积生长导电层；

(2)在所述导电层上沉积生长电致变色层；

(3)在所述电致变色层上沉积生长离子化的离子存储层；

(4)在离子化后的离子存储层上沉积生长导电层；

(5)镀膜结束后进行热处理，制得全固态电致变色器件。

10.根据权利要求9所述的全固态电致变色器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述电致变色层的密度为5.83g/cm³～7.59g/cm³。