[发明专利]一种高效异质结电池结构

权利要求书

1.一种高效异质结电池结构，其特征在于，由下至上依次堆叠设置有：

背面电池结构；

中间电池结构，设有n型单晶硅层；

以及正面电池结构，包括由下至上依次堆叠设置的本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层、p型掺杂非晶硅层以及TCO层。

2.根据权利要求1所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述p型掺杂非晶硅层的厚度范围为1～5nm，所述p型掺杂非晶硅层的掺杂元素为硼、铝、镓元素中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述p型掺杂非晶硅层的厚度为3nm。

4.根据权利要求2或3所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述背面电池结构包括由下至上依次堆叠设置的氮化硅膜层、n型掺杂多晶硅层以及氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述正面电池结构还包括设于所述TCO层上的正面电极，所述正面电极的材料为金、银、铜、铝、镍、钴中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述背面电池结构还包括设于所述氮化硅膜层上的背面电极，所述背面电极的材料为金、银、铜、铝、镍、钴中的一种或多种。

7.根据权利要求6所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述TCO层为金属氧化物层和/或金属氧化物为主要成分的掺杂组成层，所述氧化物为氧化锌、氧化铟、氧化钛、氧化钨中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述p型掺杂氢化氧化硅层的厚度范围为5～15nm，所述p型掺杂氢化氧化硅层的掺杂元素为硼、铝、镓元素的一种或多种。

9.根据权利要求8所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述本征非晶硅层的厚度范围为1～10nm。

10.根据权利要求9所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述n型单晶硅片的厚度范围为100～200um；所述氮化硅膜层的厚度范围为50～200nm，所述n型掺杂晶硅层的厚度范围为50～200nm，所述氧化硅层为厚度范围1～2nm的超薄氧化硅层。