[发明专利]一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备

权利要求书

1.一种晶体生长控制方法，生长的至少部分所述晶体的截面具有预设形状，其特征在于，所述晶体生长控制方法包括：

在提拉生长晶体的过程中，实时获取所述晶体的生长图像，并从所述生长图像中提取所述晶体在生长界面处的形状信息；其中，所述生长界面为所述晶体与原料熔体液面相交处；

将所述晶体在生长界面处的形状信息，与所述预设形状的形状信息进行对比，获得对比结果；

基于所述对比结果，利用激光器调整所述晶体在所述生长界面处的形状。

2.根据权利要求1所述的晶体生长控制方法，其特征在于，在提拉生长晶体的过程中，所述晶体相对于所述原料熔体沿第一方向转动，利用激光器调整所述晶体在所述生长界面处的形状时，所述激光器发射的激光照射所述晶体的生长界面。

3.根据权利要求2所述的晶体生长控制方法，其特征在于，在提拉生长晶体的过程中，所述晶体在所述生长界面处具有第一轮廓；所述预设形状具有第二轮廓；

所述基于所述对比结果，利用激光器调整所述晶体在所述生长界面处的形状包括：

基于所述对比结果，控制所述激光器以激光移动路径照射所述晶体的生长界面，以利用激光器调整所述晶体在所述生长界面处的形状；其中，所述激光移动路径为，在所述生长界面处，沿所述晶体的径向，位于所述第一轮廓与所述第二轮廓之间。

4.根据权利要求3所述的晶体生长控制方法，其特征在于，所述激光移动路径包括：在所述生长界面处，沿所述晶体的径向，从第一轮廓至第二轮廓；和/或，

所述激光移动路径包括：在所述生长界面处，沿所述晶体的径向，从第二轮廓至第一轮廓。

5.根据权利要求2-4任一项所述的晶体生长控制方法，其特征在于，所述原料熔体盛放在坩埚中，在提拉生长所述晶体的过程中，所述坩埚沿与所述第一方向相反的第二方向转动。

6.根据权利要求1-4任一项所述的晶体生长控制方法，其特征在于，所述晶体具有主体部和过渡部，所述主体部的截面具有预设形状，所述过渡部与所述主体部连接处的尺寸与所述预设形状相匹配；

所述晶体生长控制方法还包括：在提拉生长晶体的过程中，当开始生长所述主体部时，开启所述激光器并控制所述激光器向所述生长界面发射激光。

7.根据权利要求6所述的晶体生长控制方法，其特征在于，所述预设形状为具有直角边或倒角的正多边形；

所述过渡部与所述主体部连接处的最大直径等于所述预设形状的外接圆的直径。

8.一种晶体生长控制装置，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有至少一条计算机指令，所述指令由所述处理器加载并执行以实现权利要求1至7任一项所述的晶体生长控制方法中所执行的步骤。

9.一种晶体生长设备，其特征在于，包括单晶炉，设置在所述单晶炉上的激光器和图像采集器、以及权利要求8所述的晶体生长控制装置；

所述晶体生长控制装置与所述激光器和所述图像采集器通信连接。

10.根据权利要求9所述的晶体生长设备，其特征在于，所述单晶炉具有第一观察窗和第二观察窗；

所述激光器设置在所述第一观察窗处，用于向原料熔体液面发射激光，所述图像采集器设置在第二观察窗处，用于实时获取所述晶体的生长图像；

和/或，

所述晶体生长设备还包括激光器安装座，所述激光器可转动的连接在所述激光器安装座上；

所述晶体生长控制装置用于控制所述激光器在所述晶体的生长界面的激光移动路径。