[发明专利]一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统与方法

权利要求书

1.一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统，其特征在于：该系统包括第一便携式硫酸铜参比电极(4)、测距仪(5)、电位采集记录仪(6)和第二便携式硫酸铜参比电极(7)，其中，所述第一便携式硫酸铜参比电极(4)依次与测距仪(5)、电位采集记录仪(6)和第二便携式硫酸铜参比电极(7)相连接，所述电位采集记录仪(6)用来测量第一便携式硫酸铜参比电极(4)和第二便携式硫酸铜参比电极(7)之间的电位差，所述测距仪(5)用来测量第一便携式硫酸铜参比电极(4)和第二便携式硫酸铜参比电极(7)之间的距离。

2.根据权利要求1所述的一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统，其特征在于：所述第一便携式硫酸铜参比电极(4)的下方为埋地管道(1)的管道防腐层缺陷(3)，第一便携式硫酸铜参比电极(4)垂直固定安置于埋地管道(1)的管道防腐层缺陷(3)上方地表层。

3.根据权利要求2所述的一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统，其特征在于：所述埋地管道(1)依次与阴极保护直流电源8、同步电流断路器(9)和辅助阳极地床(10)连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统，其特征在于：对所述同步电流断路器(9)、电位采集记录仪(6)和测距仪(5)进行GPS同步设置。

5.根据权利要求1所述的一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统，其特征在于：所述第二便携式硫酸铜参比电极(7)以第一便携式硫酸铜参比电极(4)为圆心，测量第一便携式硫酸铜参比电极(4)与第二便携式硫酸铜参比电极(7)之间的电位梯度。

6.根据权利要求2所述的一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统，其特征在于：所述阴极保护直流电源(8)输出的电流为恒定电流，电流的大小可调节。

7.根据权利要求2所述的一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统，其特征在于：所述埋地管道(1)连接有管道测试桩(2)。

8.一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制方法，其特征在于：将第一参比电极垂直固定插入待测点上方地表；将第二参比电极垂直插入第一参比电极周围任意地表位置，获取第一参比电极和第二参比电极之间的距离与电位差；将第二参比电极以第一参比电极为圆心旋转，测量第一参比电极周围的若干点位与第一参比电极之间的电位差与距离，将电位差相同的点位连接在一起，绘制成等势线图。

9.根据权利要求8所述的一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制方法，其特征在于：可以通过增加或缩短第二参比电极与第一参比电极的距离调整第一参比电极与第二参比电极之间的电位差。

10.根据权利要求8所述的一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制方法，其特征在于：第二参比电极以等角度围绕第一参比电极做圆周运动。