[发明专利]一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征在于，包括

硅本体(102)的端面上设有氧化硅层(101)，在所述氧化硅层(101)的端面上设置第一预设区，所述第一预设区上设置第一金属层(103)，所述第一金属层(103)周围设置第一树脂层(105)；

所述第一树脂层(105)设置在载体(106)上；

在所述硅本体(102)背离所述氧化硅层(101)的一端的端面上设置第二预设区，沿第二预设区的外周去除所述硅本体(102)及所述氧化硅层(101)的材料，使所述第一金属层(103)背离所述载体(106)的端面露出；在所述硅本体(102)的所述第二预设区表面及露出的所述第一金属层(103)的端面上设置第三预设区，在所述第三预设区设置第二金属层(109)，所述第二金属层(109)与所述第一金属层(103)接触连接；在所述第二金属层(109)上的第四预设区设置焊接凸点(111)，形成带有所述载体(106)的转接体；

MEMS晶圆(2)与所述第二金属层(109)粘接，所述焊接凸点(111)与所述MEMS晶圆(2)上的第一导电柱一一对应设置；

去除所述载体(106)，所述第一树脂层(105)设置在第五预设区和第六预设区的外周，ASIC芯片(3)与所述第一金属层(103)粘接，所述ASIC芯片(3)上的第二导电柱(301)与所述第一金属层(103)上的所述第五预设区连接；

在所述第一金属层(103)上的所述第六预设区焊锡，形成MEMS器件的晶圆级封装结构(1000)。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第二金属层(109)上的第四预设区设置焊接凸点(111)的同时还包括，在所述焊接凸点(111)的外周设置焊锡形成密封环(112)，所述密封环(112)与所述焊接凸点(111)间隔设置。

3.根据权利要求2所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述焊接凸点(111)的外周设置焊锡形成密封环(112)之前还包括，在所述密封环(112)的外圈设置干膜，及在各个所述焊接凸点(111)之间设置所述干膜，所述干膜形成密封圈(113)。

4.根据权利要求1-3任一项所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一金属层(103)设置在所述载体(106)上之后，还包括，

去除所述硅本体(102)背离氧化硅层(101)一端的端面上的材料，以降低所述硅本体(102)的厚度。

5.根据权利要求1-3任一项所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征在于，所述硅本体(102)为

普通硅片，沿第二预设区的外周去除所述硅本体(102)及所述氧化硅层(101)的材料之后还包括，在所述硅本体(102)的表面与所述第二金属层(109)之间设置绝缘层(108)；或

高阻硅片。

6.根据权利要求1-3任一项所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征在于，设置所述焊接凸点(111)之前还包括，在所述第四预设区的外周设置第二树脂胶层(110)。

7.根据权利要求1-3任一项所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征在于，

所述第一预设区设置所述第一金属层(103)之后还包括，在所述第一金属层(103)上设置第一保护层；

所述第三预设区设置所述第二金属层(109)之后还包括，在所述第二金属层(109)上设置有第二保护层。

8.根据权利要求1-3任一项所述的MEMS器件的晶圆级封装方法，其特征在于，切割所述MEMS器件的晶圆级封装结构(1000)以形成单颗的MEMS器件的封装结构。