[发明专利]有机透明器件表面增硬技术及有机透明器件表面结构

权利要求书

1.一种有机透明器件表面增硬技术，其特征在于，其步骤包括：

取出有机透明器件；

将含有有机硅氧烷的树脂加工于所述有机透明器件的表面上，形成第一薄膜层；以及

磁控溅射所述有机透明器件的所述第一薄膜层上，形成第二薄膜层，其中所述第二薄膜层填补于所述第一薄膜层的微孔结构，使所述第一薄膜层与所述第二薄膜层间互相固定连结，且所述第一薄膜层与所述第二薄膜层间形成化学键结。

2.如权利要求1所述的有机透明器件表面增硬技术，其特征在于，于将含有有机硅氧烷的树脂加工于所述有机透明器件的表面上的步骤中，含有有机硅氧烷的树脂加入热稳定剂、增稠剂与光稳定剂配置成均一相的混合溶液，将所述混合溶液布设于所述有机透明器件的表面形成均一相的薄膜，烘烤加热固化所述薄膜，使所述薄膜于所述有机透明器件的表面上形成所述第一薄膜层，其中所述混合溶液是通过选用旋涂、淋涂与流延中的一种或多种方法加工于所述有机透明器件的表面。

3.如权利要求1所述的有机透明器件表面增硬技术，其特征在于，于磁控溅射所述有机透明器件的所述第一薄膜层上，形成第二薄膜层的步骤中，选用石墨碳作为靶材，选用氩气作为工作气体，选用氢气或者甲烷气体中的一种或多种作为反应气体，在电场和磁场的共同作用下，在所述第一薄膜层上制备所述第二薄膜层，所述第二薄膜层的材质为类金钢石碳。

4.如权利要求1所述的有机透明器件表面增硬技术，其特征在于，于磁控溅射所述有机透明器件的所述第一薄膜层上，形成第二薄膜层的步骤中，选用单晶硅或多晶硅作为靶材，选用氩气作为工作气体，选用氮气作为反应气体，在电场或磁场的共同作用下，在所述第一薄膜层上制备所述第二薄膜层，所述第二薄膜层的材质为氮化硅膜。

5.如权利要求1所述的有机透明器件表面增硬技术，其特征在于，于磁控溅射所述有机透明器件的所述第一薄膜层上，形成第二薄膜层的步骤中，选用金属钛或氧化钛掺杂金属钛作为靶材，选用氩气作为工作气体，选用氮气作为反应气体，在电场或磁场的共同作用下，在所述第一薄膜层上制备所述第二薄膜层，所述第二薄膜层的材质为氮化钛膜。

6.如权利要求1所述的有机透明器件表面增硬技术，其特征在于，于磁控溅射所述有机透明器件的所述第一薄膜层上，形成第二薄膜层的步骤中，选用单晶硅、多晶硅或二氧化硅中的一种或多种作为靶材，选用氩气作为工作气体，选用氧气作为反应气体，在电场或磁场的共同作用下，在所述第一薄膜层上制备所述第二薄膜层，所述第二薄膜层的材质为二氧化硅膜。

7.一种有机透明器件表面结构，其特征在于，包括：

有机透明器件；

第一薄膜层，其设置于所述有机透明器件的表面上，所述第一薄膜层包括含有有机硅氧烷的树脂；以及

第二薄膜层，其通过磁控溅射于所述第一薄膜层上，其中所述第二薄膜层填补于所述第一薄膜层的微孔结构，使所述第一薄膜层与所述第二薄膜层间互相固定连结，且所述第一薄膜层与所述第二薄膜层间形成化学键结。

8.如权利要求7所述的有机透明器件表面结构，其特征在于，所述有机透明器件的材质为聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯或聚乙烯。

9.如权利要求7所述的有机透明器件表面结构，其特征在于，所述第二薄膜层为类金钢石碳、氮化硅膜、氮化钛膜或二氧化硅膜。

10.如权利要求7所述的有机透明器件表面结构，其特征在于，所述第二薄膜层的硬度大于所述第一薄膜层的硬度，所述第一薄膜层的硬度大于所述有机透明器件的硬度。