[发明专利]一种MOSFET管的测试电路及其测试方法

说明书

本发明公开了一种MOSFET管的测试电路，包括多个串联连接的测试模块，所述测试模块包括MOSFET管、设置在所述MOSFET管内的二极管D和用于输出加热电流和测试电流的驱动单元，所述MOSFET管的源极和漏极通过所述二极管D电性连接，所述MOSFET管的源极和漏极均分别电性连接所述驱动单元，所述驱动单元包括控制所述MOSFET管导通电压的电源U，所述电源U与所述MOSFET管的栅极电性连接。其还公开了上述测试电路的测试方法。其容易给MOSFET管的内部加热，且不易烧坏MOSFET管外部的封装。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种MOSFET管的测试电路及其测试方法。

背景技术

在半导体领域中，MOSFET管作为常用的晶体管，MOSFET管的性能往往决定整个电子器件的性能，因此MOSFET管的性能测试尤其重要。

由于MOSFET管在使用中会发热，发热后可能会使MOSFET管中的PN结烧坏，所以对MOSFET管的热性能进行测试是很有必要的。

但一般测试MOSFET管热性能的方法都是：通过外部热空气或者加热丝直接给MOSFET管加热来测试热性能。这样不易给MOSFET管内部加热，且容易烧坏MOSFET管外部的封装。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种MOSFET管的测试电路，其容易给MOSFET管的内部加热，且不易烧坏MOSFET管外部的封装；

本发明的目的之二还提供一种上述MOSFET管的测试电路的测试方法。

本发明的目的之一采用以下技术方案实现：

一种MOSFET管的测试电路，包括多个串联连接的测试模块，所述测试模块包括MOSFET管、设置在所述MOSFET管内的二极管D和用于输出加热电流和测试电流的驱动单元，所述MOSFET管的源极和漏极通过所述二极管D电性连接，所述MOSFET管的源极和漏极均分别电性连接所述驱动单元，所述驱动单元包括控制所述MOSFET管导通电压的电源U，所述电源U与所述MOSFET管的栅极电性连接。

优选的，所述驱动单元还包括选择开关S1、用于加热的电流源Ih1和用于测试的电流源Is1，所述电流源Ih1的一端和所述电流源Is1的一端均分别电性连接所述MOSFET管的源极，所述电流源Ih1的另一端和所述电流源Is1的另一端均分别电性连接所述选择开关S1，所述选择开关S1与所述MOSFET管的漏极电性连接。

优选的，所述电源U包括选择开关S2、输出正电压的电源U1和输出负电压的电源U2，所述电源U1的一端和所述电源U2的一端均分别电性连接所述MOSFET管的源极，所述电源U1的另一端和所述电源U2的另一端均分别电性连接所述选择开关S2，所述选择开关S2与所述MOSFET管的栅极电性连接。

优选的，所述电源U包括比较器LM和输出正向电压的电源U3，所述比较器LM的正极输入端与所述MOSFET管的漏极电性连接，所述比较器LM的负极输入端与所述电源U3的一端电性连接，所述电源U3的另一端与所述MOSFET管的源极电性连接。

优选的，所述MOSFET管的源极和栅极之间电性连接有电阻。

优选的，所述测试模块还包括风机CT，所述风机CT与所述测试模块并联连接。

本发明的目的之二采用以下技术方案实现：

一种上述所述MOSFET管的测试电路的测试方法，包括：

步骤A：通过所述驱动单元使MOSFET管导通，通过所述驱动单元输出加热电流给所述MOSFET管加热；

步骤B：等所述MOSFET管达到预定时间后，断开MOS管加热电流，并通过所述驱动单元快速输出测试电流给所述MOSFET管，之后对所述MOSFET管降温；