[发明专利]废气处理系统

说明书

本发明涉及气体处理技术领域，提供一种废气处理系统，包括：反应容器，反应容器包括容器本体和盖体，容器本体与盖体限制出第一腔体和环绕与第一腔体外周的第二腔体，第一腔体的第一端用于通入待处理的第一气体，第一腔体的第二端与第二腔体连通，第二端为朝向盖体的一端；盖体构造有用于通入第二气体的进气腔，盖体包括封闭部和环绕封闭部的连通部，连通部连通进气腔与第二腔体，封闭部的投影覆盖第二端。本发明提出的废气处理系统，封闭部与连通部配合，使得第一气体与第二气体在第二腔体内发生反应，阻止第一气体与第二气体在第一腔体内发生反应，解决第一腔体容易堵塞的问题，降低设备维护成本。

技术领域

本发明涉及气体处理技术领域，尤其涉及废气处理系统。

背景技术

半导体制造工艺中，涉及多种特殊的气体包括氢化物(超纯氢、硅烷、磷烷等)，氟化物(六氟化硫、三氟化氮、四氟化硅等)，碳氟化合物(四氟化碳、六氟乙烷等)。吸入高浓度的硅烷会引起头痛、恶心、头晕并刺激上呼吸道，过度吸入硅烷会引起肺炎和肾病。氟化物对于人体的危害，氟化物会使骨骼受害，主要表现为肢体活动障碍，并且使人的牙齿变得脆弱，还会出现斑点、损害皮肤，出现疼痛、湿疹及各种皮炎，影响工作人员的生命健康。

目前市场上的废气处理设备往往存在以下问题：半导体废气处理系统气体入口的制程废气不受控制，在设备停机的情况下，废气进入系统，造成废气未被处理或者气体泄露造成环境和人员健康；制程废气容易在气体入口堵塞，维护成本大；半导体废气处理系统气体入口负压的负压波动过大，维护成本大；半导体废气处理系统水箱内液位传感器与水箱水液接触，造成传感器腐蚀而失效；半导体废气处理系统反应容器的顶盖温度过高，易造成人员烫伤；干燥空气进入反应腔，制程废气与干燥空气提前反应，生成的二氧化硅结晶堆积，造成系统堵塞，维护成本增加；反应腔外壁与反应腔内壁之间热量流失，系统处理效率低下并且反应腔外壁温度过高，易造成人员伤害；反应腔出口易堵塞，导致系统停机，维护成本增加；半导体废气处理系统出气口湿度过大而结露，系统出气口易被腐蚀和堵塞，造成设备成本增加。

结合上述，相关技术中的废气处理设备，存在诸多问题，亟待解决。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种废气处理系统，封闭部与连通部配合，使得第一气体与第二气体在第二腔体内发生反应，阻止第一气体与第二气体在第一腔体内发生反应，解决第一腔体容易堵塞的问题，降低设备维护成本。

根据本发明实施例的废气处理系统，包括：

反应容器，包括容器本体和盖体，所述容器本体与所述盖体限制出第一腔体和环绕与所述第一腔体外周的第二腔体，所述第一腔体的第一端用于通入待处理的第一气体，所述第一腔体的第二端与所述第二腔体连通，所述第二端为朝向所述盖体的一端；所述盖体构造有用于通入第二气体的进气腔，所述盖体包括封闭部和环绕所述封闭部的连通部，所述连通部连通所述进气腔与所述第二腔体，所述封闭部的投影覆盖所述第二端。

根据本发明的一个实施例，所述盖体包括限制出所述进气腔的盖本体和孔板，所述盖本体上连接有供气管路，所述连通部为所述孔板上的通孔，所述通孔对应于所述第一腔体的外周。

根据本发明的一个实施例，所述容器本体包括限制出所述第一腔体的第一壳体和环绕于所述第一壳体外周的第二壳体，所述第二壳体上设有排气口，所述排气口处设有喷头，所述喷头的喷淋方向与所述排气口的排气方向相同。

根据本发明的一个实施例，所述第一壳体的所述排气口处设有排气管，所述排气管包括连接于所述排气口的连接部和与所述连接部形成夹角的折弯部，所述喷头上连接有供液管，所述供液管包括在所述折弯部内延伸的供液部以及伸出所述折弯部的固定部。

根据本发明的一个实施例，还包括第一冷却管路，所述盖体构造有保温腔，所述保温腔与所述第一冷却管路连通。