[发明专利]一种全光谱LED光源在审
| 申请号： | 202011613743.8 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112786575A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李明珠;苏佳槟;陈智波;刘俊鑫 | 申请（专利权）人： | 广州硅能照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/50 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 葛燕婷 |
| 地址： | 510000 广东省广州市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 led 光源 | ||
1.一种全光谱LED光源，其特征在于：包括激发源蓝光芯片和发射源荧光粉，所述蓝光芯片包括第一LED芯片、第二LED芯片、第三LED芯片及第四LED芯片，所述第一LED芯片、所述第二LED芯片、所述第三LED芯片和所述第四LED芯片依次串联；所述荧光粉包括黄绿色荧光粉、第一红色荧光粉和第二红色荧光粉。
2.如权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于：所述第一LED芯片、所述第二LED芯片、所述第三LED芯片和所述第四LED芯片为正装芯片、倒装芯片或者垂直芯片。
3.如权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于：所述第一LED芯片的主波长为440nm-455nm，所述第二LED芯片的主波长为455nm-470nm，所述第三LED芯片的主波长为380nm-440nm，所述第四LED芯片的主波长为470nm-495nm。
4.如权利要求3所述的一种全光谱LED光源，其特征在于：所述第一LED芯片占总芯片数量的比例为33.3％±5％，所述第二LED芯片占总芯片数量的比例为25％±5％，所述第三LED芯片占总芯片数量的比例为25％±5％，所述第四LED芯片占总芯片数量的比例为16.7％±5％。
5.如权利要求4所述的一种全光谱LED光源，其特征在于：所述第三LED芯片排布在外圈，所述第一LED芯片与所述第三LED芯片相邻排布，所述第二LED芯片与所述第三LED芯片相邻排布。
6.如权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于：所述黄绿色荧光粉的峰值波长位于510nm-530nm之间，所述第一红色荧光粉的峰值波长位于625nm-640nm之间，所述第二红色荧光粉的峰值波长位于645nm-665nm之间。
7.如权利要求6所述的一种全光谱LED光源，其特征在于：所述黄绿色荧光粉的半波宽为100nm±5nm，粒径为22μm±5μm；所述第一红色荧光粉的半波宽为88nm±5nm，粒径为22μm±5μm；所述第二红色荧光粉的半波宽为89nm±5nm，粒径为22μm±5μm。
8.如权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于：所述黄绿色荧光粉材料体系为铝酸盐，所述第一红色荧光粉和所述第二红色荧光粉材料体系为硅基氮化物。
9.如权利要求6所述的一种全光谱LED光源，其特征在于：所述黄绿色荧光粉的质量百分含量为占总荧光粉质量的比例为88％-97.5％，所述第一红色荧光粉的质量百分含量为占总荧光粉质量的比例为0.5％-3％，所述第二红色荧光粉的质量百分含量为占总荧光粉质量的比例为2％-9％。
10.如权利要求1所述的一种全光谱LED光源，其特征在于：所述第二红色荧光粉的合成工艺为直接合成工艺。
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