[发明专利]缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路

权利要求书

1.一种缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，包括：

第一电流LDO模块，用于提供大驱动电流；

第二电流LDO模块，用于提供中等驱动电流；

第三电流LDO模块，用于提供小驱动电流；

在flash芯片处于待机模式时，由第三电流LDO模块提供小驱动电流至flash芯片；在flash芯片由待机模式转换成active模式时，由第三电流LDO模块、第二电流LDO模块和第一电流LDO模块同时提供驱动电流至flash芯片，通过第二电流LDO模块提供中等驱动电流至flash芯片，以弥补第一电流LDO模块提供的电流在完全建立进入稳定状态前的不足部分；所述大驱动电流为1mA以上的电流；小驱动电流为10uA以下的电流；中等驱动电流为介于大驱动电流和小驱动电流之间的电流。

2.根据权利要求1所述的缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，所述第一电流LDO模块包括第一比较器、第一mos管、第一电阻和第二电阻，所述第一比较器的输出端与第一mos管的栅极连接，第一mos管的漏极连接电源电压VCC，第一mos管的源极输出电压Vint,第一mos管的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与第二电阻的一端连接，第二电阻另一端接地，第一电阻的另一端连接第一比较器的负输入端，第一比较器的正输入端连接第一基准电压Vref1。

3.根据权利要求2所述的缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，所述第一基准电压Vref1由大电流基准模块大电流基准模块提供。

4.根据权利要求2或3任一所述的缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，所述第一电流LDO模块还包括第一开关S1，所述第二电阻另一端与第一开关S1一端连接，第一开关S1另一端接地。

5.根据权利要求2所述的缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，所述第二电流LDO模块包括第二比较器、第二mos管、第三电阻和第四电阻，所述第二比较器的输出端与第二mos管的栅极连接，第二mos管的漏极连接电源电压VCC，第二mos管的源极输出电压Vint,第二mos管的源极与第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端与第四电阻的一端连接，第四电阻另一端接地，第三电阻的另一端连接第二比较器的负输入端，第二比较器的正输入端连接第二基准电压Vref2。

6.根据权利要求5所述的缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，所述第二基准电压Vref2由小电流基准模块小电流基准模块提供。

7.根据权利要求5或6任一所述的缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，所述第二电流LDO模块还包括第二开关S2，所述第四电阻另一端与第二开关S2一端连接，第二开关S2另一端接地。

8.根据权利要求5所述的缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，所述第三电流LDO模块包括第三比较器、第三mos管、第五电阻和第六电阻，所述第三比较器的输出端与第三mos管的栅极连接，第三mos管的漏极连接电源电压VCC，第三mos管的源极输出电压Vint,第三mos管的源极与第五电阻的一端连接，第五电阻的另一端与第六电阻的一端连接，第六电阻另一端接地，第五电阻的另一端连接第三比较器的负输入端，第三比较器的正输入端连接第三基准电压Vref3。

9.根据权利要求8所述的缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，所述第三基准电压Vref3由小电流基准模块小电流基准模块提供。

10.根据权利要求8或9任一所述的缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，其特征在于，所述第一mos管、第二mos管和第三mos管均采用pmos管。