[发明专利]一种测量磁性多层膜自旋阀自旋塞贝克系数的方法

权利要求书

1.一种测量磁性多层膜自旋阀自旋塞贝克系数的方法，其特征在于测量过程包含三个步骤：

（1）：首先在磁性多层膜自旋阀样品表面镀一层Al薄膜作为激发层，以飞秒激光作为测量光源，激光脉冲打在Al激发层，测量自旋阀在反平行态（AP）的电压(V_AP)与平行态时(P)的电压(V_P)；

（2）：通过仿真软件，利用有限元法模拟激光在样品中的热传导过程，计算得到自旋阀上下表面的温度差（ΔT_sv）；

（3）：自旋相关塞贝克系数计算：根据公式ΔS_sv=(V_AP-V_P)/ΔT_sv，计算得到自旋相关的塞贝克系数。

2.根据权利要求书1所述的测量方法，其特征在于步骤（1）中所述的Al激发层薄膜的厚度为80nm~100nm，所述的激光为飞秒脉冲激光，激光强度为1mW~100mW，光斑大小为5μm~20μm；所述的自旋阀主要由磁性（FM）/非磁性(NFM)多层膜，以及连接层组成，所述多层膜[FM/NFM]_n，其特征在于n为3~60，连接层其特征在于，以Pt, Au, Cu和CuN等的一层或多层作为连接层，所述自旋阀的GMR为1%~50%；使用Keithley 2400作为测量仪器，测量激光脉冲下的自旋阀在不同阻态时的电压。

3.根据权利要求书1所述的测量方法，其特征在于步骤（2）中所述的仿真软件为Comsol等有限元仿真软件，计算得到自旋阀自由层与参考层的温度差（ΔT_sv）。