[发明专利]成膜装置和成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其利用磁控溅射在基板上形成膜，其中，

该成膜装置包括：

靶保持件，其以靶朝向作为成膜对象的基板且靶沿水平面内的预定的方向延伸的方式在正面保持该靶；

磁体单元，其具有通过排列磁体而构成的磁体排列体，并且设于所述靶保持件的背面侧；

一对遮蔽构件，其在被所述靶保持件保持着的所述靶与所述作为成膜对象的基板之间以自该靶朝向该作为成膜对象的基板延伸的方式设置；以及

移动机构，其使所述磁体单元以在被所述靶保持件保持着的所述靶的所述预定的方向上的一端与另一端之间进行往复运动的方式移动，

所述磁体单元以所述磁体排列体沿着所述预定的方向并列的方式设有一对所述磁体排列体，

所述遮蔽构件分别在俯视时设于在所述磁体单元进行所述往复运动的期间内所述一对所述磁体排列体中的仅一者通过的第1区域与在所述磁体单元进行所述往复运动的期间内所述一对所述磁体排列体中的两者通过的第2区域之间的边界线上。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

所述作为成膜对象的基板在表面形成有截面呈矩形形状的图案。

3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其中，

所述作为成膜对象的基板在成膜过程中在水平面内的与所述预定的方向正交的方向上移动。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜装置，其中，

所述移动机构在所述磁体单元与被所述靶保持件保持着的所述靶的所述预定的方向上的端部相对的低速区间内使该磁体单元相比于其他的区间以低速移动。

5.根据权利要求4所述的成膜装置，其中，

所述低速区间为所述一对所述磁体排列体中的外侧的所述磁体排列体的中心位于将所述第1区域沿着所述预定的方向二等分而成的区域中的外侧的区域的区间。

6.根据权利要求4或5所述的成膜装置，其中，

所述低速区间内的所述磁体单元的移动速度为所述其他的区间内的所述磁体单元的移动速度的0.2～0.5倍。

7.一种成膜方法，该成膜方法使用成膜装置并利用磁控溅射在基板上形成膜，其中，

所述成膜装置包括：

靶保持件，其以靶朝向作为成膜对象的基板且靶沿水平面内的预定的方向延伸的方式在正面保持该靶；

磁体单元，其具有通过排列磁体而构成的磁体排列体，并且设于所述靶保持件的背面侧；以及

一对遮蔽构件，其在被所述靶保持件保持着的所述靶与所述作为成膜对象的基板之间以自该靶朝向该作为成膜对象的基板延伸的方式设置；

所述磁体单元以所述磁体排列体沿着所述预定的方向并列的方式设有一对所述磁体排列体，

该成膜方法包含使所述磁体单元以在被所述靶保持件保持着的所述靶的所述预定的方向上的一端与另一端之间进行往复运动的方式移动的工序，

所述遮蔽构件分别在俯视时设于在所述磁体单元进行所述往复运动的期间内所述一对所述磁体排列体中的仅一者通过的第1区域与在所述磁体单元进行所述往复运动的期间内所述一对所述磁体排列体中的两者通过的第2区域之间的边界线上。

所述移动的工序包含以下工序：

在所述磁体单元与被所述靶保持件保持着的所述靶的所述预定的方向上的端部相对的区间内使该磁体单元以第1速度移动；以及

在其他区间内使所述磁体单元以比所述第1速度快的第2速度移动。