[发明专利]基于NiO/(Ga1-x 在审
| 申请号： | 202011615006.1 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112736125A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;王轶博;刘艳;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/24;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙) 11462 | 代理人： | 宋磊 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 nio ga base sub | ||
1.一种基于NiO/(Ga1-xAlx)2O3 PN结漏端结构的晶体管，该晶体管为(Ga1-xAlx)2O3晶体管，包括：衬底(1)、(Ga1-xAlx)2O3沟道(2)、NiO/(Ga1-xAlx)2O3 PN结漏端(3)、栅极氧化层(4)、源端电极(5)、漏端电极(6)以及栅电极(7)；所述的(Ga1-xAlx)2O3沟道(2)、NiO/(Ga1-xAlx)2O3PN结漏端(3)在衬底(1)上由下至上依次分布，源端电极(5)在(Ga1-xAlx)2O3沟道(2)之上，漏端电极(6)在NiO/(Ga1-xAlx)2O3 PN结漏端(3)之上，栅极氧化层(4)覆盖在(Ga1-xAlx)2O3沟道(2)之上，栅电极(7)在栅极氧化层(4)之上；其特征在于：所述NiO/(Ga1-xAlx)2O3PN结漏端(3)采用NiO与Ga1-xAlx)2O3形成的PN结，N型(Ga1-xAlx)2O3为沟道，P型NiO为漏端材料。
2.根据权利要求1所述基于NiO/(Ga1-xAlx)2O3 PN结漏端结构的晶体管，其特征在于：所述沟道采用通式为(Ga1-xAlx)2O3的化合物材料；其中，x的取值范围为：0≤x＜0.6，当x＝0时沟道材料为Ga2O3。
3.根据权利要求1所述基于NiO/(Ga1-xAlx)2O3 PN结漏端结构的晶体管，其特征在于：所述漏端电极(6)为与NiO形成欧姆接触的金属或者形成肖特基接触的金属。
4.根据权利要求1所述基于NiO/(Ga1-xAlx)2O3 PN结漏端结构的晶体管，其特征在于：所述衬底(1)采用Si、SiC、Ga2O3或蓝宝石材料。
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